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公开(公告)号：CN108037439B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201711362145.6
申请日：2017-12-18
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种碳化硅晶体导电类型的无损判定方法，使用紫外‑可见‑近红外分光光度计，对待测的SiC样品进行光谱透过率测量，探测光的入射方向为沿SiC晶片的c轴方向，测量指标为吸光度，根据公式α=｛A﹢2log10(1‑R)｝/(d/ln10)（1）计算得到碳化硅样品的吸收系数随波长变化关系的吸收系数曲线，从曲线中获得紫外吸收边位置Eg；根据半绝缘类型的紫外吸收边位置判定标志与吸收边位置Eg进行比较，获得半绝缘晶片导电类型，有益效果是采用基于光谱分析法，对高纯半绝缘碳化硅晶片的导电类型进行检测和筛分的方法，对待测样品无损伤，检测过程易于自动化和程序控制，可对出厂产品进行全面检验，也可应用于目前市场存在的2、3、4、6英寸完整晶圆产品检验。
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公开(公告)号：CN106002498B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201610618672.8
申请日：2016-08-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B1/00
摘要： 本发明公开了一种有机DAST晶体的表面研磨工艺方法。其流程为：①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；②按体积比配制20%～80%乙酸乙酯和20%～80%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行晶体研磨；③按体积比配制55%～85%乙酸乙酯和15%～45%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行细磨；④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中清洗；⑤将DAST晶体置于50℃～80℃温度条件下，真空干燥5min～15min。本发明能够有效地去除DAST晶体表面的凹坑、生长台阶等宏观缺陷，降低了晶体的表面粗糙度，可得到具有较平整且易于后期加工的晶体表面。
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公开(公告)号：CN104401995A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410570173.7
申请日：2014-10-23
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： C01B31/36
摘要： 本发明涉及一种利用多晶硅块和鳞片石墨制备高纯碳化硅粉的方法。其步骤（1）按质量比将多晶硅块置于石墨坩埚底层,将鳞片石墨均匀铺散在多晶硅块上面；（2）将坩埚放入感应炉中，抽真空4-10小时；（3）温度升至1300-1600℃，氩气流量0.1-5L/min，氢气流量0-1L/min，压力3-20mbar，保温2-4小时；（4）温度升至1800-2300℃，升温速率为10-30℃/min，保温2-10小时；（5）取出碳化硅粉在石墨研钵中粉碎，即得到高纯碳化硅粉。该方法制备的高纯SiC粉为淡黄色或黄黑色粉末，碳化硅的含量不低于99.9%。该方法具有工艺简单、生产成本低、生产周期短和SiC粉纯度高特点。
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公开(公告)号：CN107723798A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711037054.5
申请日：2017-10-30
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种高效率制备高纯半绝缘碳化硅单晶生长装置及方法。本方法通过设计带有惰性气体石墨导流管和石墨限流罩结构的碳化硅单晶生长装置而实现。惰性气体在该结构作用下产生强制对流，石墨坩埚外壁形成强制对流层；当气体对流的流速和流量较大时，可以抑制扩散作用对浓度分布的影响。在本方法中，强制对流层的定向运动可以抑制石墨坩埚外部的氮气分子扩散进入石墨坩埚。因此，保温系统中的吸附氮作为污染源的问题得到了解决。该方法不需要使用惰性气体大气隔离室系统，也不需要进行很长时间的炉体抽真空的除氮气工艺处理。本发明具有高效率、设备简易的两个特点。可在目前本领域的多数碳化硅单晶炉系统中推广使用。
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公开(公告)号：CN107604441A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710816696.9
申请日：2017-09-12
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种双温区法晶体生长装置及DAST晶体生长工艺。双温区法晶体生长装置上部为低温区，具有杯状夹层结构；下部为高温区，呈球瓶形；上下温区间通过直管连接，并配有隔热挡板。过量的DAST源粉在下部高温区形成高温饱和溶液，通过连接直管向上部低温区传输，被上部低温区冷却后形成过饱和溶液，为DAST晶体生长提供了驱动力。该双温区法晶体生长装置结构简单、易于组建、便于操作。该双温区法DAST晶体生长工艺可避免自发成核对晶体生长过程的影响，实现DAST晶体稳定生长，有利于提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN104998860B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510414545.1
申请日：2015-07-15
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B08B3/08 , B08B3/12 , C07D213/38 , F26B5/04
摘要： 本发明公开了一种有机DAST晶体的表面清洗工艺。该清洗工艺流程为：1、将DAST晶体置于由按体积比70%～95%乙酸乙酯和5%～30%异丙醇配制的清洗剂中，超声清洗10～30s；2、将DAST晶体置于由按体积比76%～98%无水乙醇和2%～24%四氢呋喃配制的清洗剂中，超声清洗10～30s；3、将DAST晶体置于甲醇溶液中，超声清洗2～8s；4、将清洗干净的DAST晶体在45～55℃条件下，真空干燥15～30min。采用本工艺能够有效地清除DAST晶体表面的杂质，尤其是能彻底清洗DAST晶体表面因吸水而变色的表层，且易挥发，可得到洁净干燥的晶体表面。
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公开(公告)号：CN106002498A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610618672.8
申请日：2016-08-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B1/00
CPC分类号： B24B1/00
摘要： 本发明公开了一种有机DAST晶体的表面研磨工艺方法。其流程为：①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；②按体积比配制20%～80%乙酸乙酯和20%～80%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行晶体研磨；③按体积比配制55%～85%乙酸乙酯和15%～45%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行细磨；④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中清洗；⑤将DAST晶体置于50℃～80℃温度条件下，真空干燥5min～15min。本发明能够有效地去除DAST晶体表面的凹坑、生长台阶等宏观缺陷，降低了晶体的表面粗糙度，可得到具有较平整且易于后期加工的晶体表面。
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公开(公告)号：CN114182357A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111504610.1
申请日：2021-12-10
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所 , 程鹏
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶体的破碎晶粒用于再生长碳化硅单晶的方法。该方法包括碳化硅晶体的破碎晶粒处理过程和再生长碳化硅单晶过程；利用晶锭破碎机、精细粉碎机、输送机、多粒径选择旋转筛完成不合格晶体和晶片的破碎筛选过程，获得粒径在所需范围内的碳化硅粉碎料，再利用粉粒进行碳化硅单晶的生长。该方法提高了在半导体生产过程中不合格品的资源价值和经济价值，力争物尽其用，做到了低碳环保和降本增效。同时，使用碳化硅晶锭破碎颗粒作为碳化硅单晶生长用粉料，粉粒自身纯度比由碳和硅合成的碳化硅粉粒纯度更高，并且由于碳化硅晶粒在生长过程前段的高温下几无升华，从而可以令生长室保持高真空的状态，能够生长出纯度更高的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN113136622A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110437585.3
申请日：2021-04-22
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种PVT法气流导向的碳化硅单晶生长装置及使用方法。包括粘接石墨籽晶托、籽晶、坩埚上、石墨连接环、坩埚下、外壳箱体、上测温杆和下测温杆，石墨连接环的材质是与坩埚上和坩埚下材质不同的多孔石墨材料，孔径为1‑100μm，孔隙率和孔径均与坩埚上和坩埚下有差异。步骤包括：装炉、升温、抽真空、冲惰性气体、升温保压、降压、降温。本发明使反应系统内的气体利用石墨的孔隙差异在指定位置溢出，通过反应气体在籽晶表面和边缘的滞留时间和流向的控制，以及坩埚内外气体压力差的控制来达到生长高质量，尤其是可以抑制边缘小裂纹和多晶的产生，同时可以降低晶体生长过程中的杂质含量。
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公开(公告)号：CN104962985A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510414588.X
申请日：2015-07-15
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种可控晶体尺寸的DAST晶体生长工艺。该工艺通过三个基础步骤可以产生多种工艺的组合。其中，步骤A：DAST的甲醇溶液浓度为2.5-3.5wt%，主要是用于使DAST晶体沿a轴和b轴方向生长；步骤B：DAST的甲醇溶液浓度为1.5-2.5wt%，主要是用于使DAST晶体沿c轴方向生长；步骤C：DAST的甲醇溶液浓度为0.5-1.5wt%，此步骤主要是用于去除DAST晶体表层粘附的杂质和多晶颗粒，即对晶体表层进行一定程度的修整。利用上述三个基础步骤可以产生多种工艺的组合来生长可控尺寸的DAST晶体，为DAST晶体及相关产品研究奠定了良好的物质与理论基础。
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