本发明提供一种双沟槽场效应管的制造方法，包括步骤：提供第一导电类型的半导体衬底以及第一导电类型的掺杂层、制作沟槽栅区结构、制作深沟槽、氧化层及深沟槽电极、于掺杂层的表层形成第二导电类型层、于第二导电类型层的表层成第一导电类型层、制作隔离层、制备源区接触电极的区域、形成上电极、减薄半导体衬底、形成下电极。本发明采用纵向设置的栅区，由于实际覆盖面积小，有效减小了栅电荷和栅漏电荷，从而提高开关速度。在侧壁深沟槽中设置的电极区，由于其电场调制和电荷补偿效应，使得漂移区的掺杂浓度可以做的更高，从而可以有效降低漏源导通电阻。