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公开(公告)号：CN106340458A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610886331.9
申请日：2016-10-11
申请人： 无锡同方微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66477
摘要： 本发明公开了一种降低深槽型超结MOSFET制造成本的制造方法，属于MOSFET制造方法技术领域。方法包括以下步骤：步骤1 提供衬底材料；步骤2 进行沟槽刻蚀；步骤3 在步骤2的沟槽中生长P型外延层；步骤4 使用磷注入来降低表面电阻率；步骤5 生长栅氧化层并沉积多晶硅；步骤6 刻蚀步骤5的多晶硅；步骤7 硼注入并高温扩散；步骤8 砷注入并高温扩散；步骤9 沉积绝缘层；步骤10 开接触孔；步骤11 沉积金属。本发明的制造方法在不影响产品性能的同时减少光照次数缩短制程周期，大大减少了制造成本。
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公开(公告)号：CN104779298A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510203327.3
申请日：2015-04-24
申请人： 无锡同方微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/66477 , H01L29/78
摘要： 本发明提供一种超结MOSFET终端结构及其制作方法，该结构包括：N型重掺杂衬底及形成于其上的N型轻掺杂外延层；所述N型轻掺杂外延层包括元胞区及终端区；所述元胞区中形成有至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括形成于所述N型轻掺杂外延层中的一对元胞区P柱；该一对元胞区P柱顶端分别连接有一P型体区；所述N型轻掺杂外延层表面形成有栅极结构；所述终端区中形成有至少一个终端区P柱；其中：所述终端区P柱的深度大于所述元胞区P柱的深度。本发明可以提升器件终端区耐压能力，改善高压超结MOSFET器件的多种特性；器件制作方法与现有工艺兼容，有多种实现方式，可以在现有工艺条件下进一步提升超结MOSFET终端结构的耐压能力。
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公开(公告)号：CN108666368A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710201412.5
申请日：2017-03-30
申请人： 无锡同方微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/66712
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是一种超结MOSFET渐变终端结构及其制作方法，包括N型衬底和形成于N型衬底上的N型外延层，N型外延层包括元胞区及包围元胞区的终端区，其中元胞区中形成有至少一个晶体管单元，晶体管单元包括形成于N型外延层中的两个元胞区P柱。本发明终端区中形成有至少一个终端区P柱，终端区P柱顶端连接有至少三个P-型体区，每两个相邻的P-型体区之间的间距沿着远离元胞区P柱的方向依次增大，多个P-型体区排布成一系列渐变的P-型体区结构，该渐变的P-型体区结构的存在有利于器件的电场向右横向延展，从而有利于提高终端耐压。
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公开(公告)号：CN107221500A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710325675.7
申请日：2017-05-10
申请人： 无锡同方微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66666 , H01L29/401 , H01L29/4236 , H01L29/7827
摘要： 本发明提供一种双沟槽场效应管及制备方法，方法包括：提供第一导电类型的衬底以及第一导电类型的掺杂层、制作深沟槽区结构、形成深沟槽电极、制作沟槽栅区结构、于掺杂层的表面形成第二导电类型层、于第二导电类型层的表面形成第一导电类型层、制作隔离层、制备源区接触电极、形成上电极、下电极，深沟槽区结构包括第一槽区和第二槽区，第一槽区具有第一厚度的氧化层，第二槽区具有第二厚度的氧化层，第一槽区的宽度小于第二槽区，第二厚度大于第一厚度。本发明通过将深沟槽电极设置为上下不同的两部分，在保证一定的第二厚度氧化层厚度的同时，实现了深沟槽电极之间距离的增大，从而有利于后续元器件的制备，简化了生产工艺，降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN105006955B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201510474000.X
申请日：2015-08-05
申请人： 无锡同方微电子有限公司
IPC分类号： H02M1/08
摘要： 本发明提供一种IGTO封装结构，包括GTO器件、驱动电路板，所述GTO器件包括绝缘壳体，绝缘壳体的顶部中间为GTO器件的阳极兼做IGTO器件的阳极；GTO器件绝缘壳体的外侧面上设有两道上下间隔的环形结构，上一道环形结构为GTO器件的门极环，下一道环形结构为GTO器件的阴极环；GTO器件的阴极环不连续，至少开有一处缺口；GTO器件的阴极环通过缺口先卡入一部分进入驱动电路板上的安装孔中，再旋转使得GTO器件卡入驱动电路板的安装孔中，且GTO器件的阴极环和门极环分别位于驱动电路板的反面和正面，GTO器件门极环和阴极环分别与驱动电路板正反面的第一电连接区紧密接触电连接。本发明引线电感小，而散热性能佳，也方便压接使用。
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公开(公告)号：CN105024576A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510509052.6
申请日：2015-08-18
申请人： 无锡同方微电子有限公司
IPC分类号： H02M7/483 , H02M7/00 , H01L23/473
摘要： 本发明涉及一种集成门极可关断晶闸管三电平功率模块，其包括金属架体，在所述金属架体内设有与所述金属架体绝缘隔离的第一功率串、第二功率串以及第三功率串，且第一功率串、第二功率串以及第三功率串通过金属架体顶部的压装紧固体与所述金属架体紧固连接；所述第一功率串内包括四组上下依次分布的门极可关断晶闸管体；第二功率串内包括四组反并联续流二极管，第三功率串包括上吸收二极管、上箝位二极管、下箝位二极管、上吸收电容体、下吸收电容体以及下吸收二极管。本发明结构紧凑，能承受高电压以及大电流，损耗低，开关频率高，适应范围广，安全可靠。
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公开(公告)号：CN104319287A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410607160.2
申请日：2014-10-31
申请人： 无锡同方微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/331 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L29/4236 , H01L29/66325 , H01L29/66477 , H01L29/78
摘要： 本发明提供一种沟槽栅型半导体器件结构，包括：衬底；至少两条相互平行排列的沟槽栅结构；将各沟槽栅结构并联的多晶硅桥；覆盖所述沟槽栅结构及所述多晶硅桥的绝缘层；位于所述多晶硅桥上方并贯通所述绝缘层的至少一个接触孔；形成于所述绝缘层表面并填充于所述接触孔内、与所述多晶硅桥欧姆接触的栅极金属层；所述多晶硅桥靠近所述沟槽栅结构的第一端，所述多晶硅桥外侧与所述沟槽栅结构第一端之间的距离为L，其中，L>0。本发明中，由于多晶硅桥避开了沟槽栅结构末端，这种连接方式可以有效降低沟槽栅结构末端栅氧化层击穿的概率，从而提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN104280676A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410581626.6
申请日：2014-10-27
申请人： 无锡同方微电子有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种带偏置电源的功率半导体器件的检测电路，所述检测电路包括：齐纳二极管、三极管、包括发光器及受光器的光耦合器、电压检测器、及若干电阻，其中：所述齐纳二极管的阳极通过第一电阻与所述三极管的集电极相连，作为检测电路的正检测端，阴极通过第二电阻与所述三极管的基极相连，并通过第三电阻与所述发光器的第一端相连，作为检测电路的负检测端；所述三极管的发射极与所述发光器的第二端相连；所述电压检测器通过第四电阻连接于所述受光器的两端。本发明的检测电路具有较高的灵敏度和准确性，检测相应速度高，可以在很短的时间内将功率半导体器件的工作状态检测出来。
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公开(公告)号：CN104779295B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510202135.0
申请日：2015-04-24
申请人： 无锡同方微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
摘要： 本发明提供一种半超结MOSFET结构及其制作方法，该结构包括至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括：N型重掺杂衬底及依次形成于其上的N型辅助层、N型漂移层；所述N型漂移层中形成有第一、第二P柱；所述第一、第二P柱顶端分别连接有第一、第二P型体区；所述N型漂移层表面形成有栅极结构；所述栅极结构位于所述第一、第二P柱之间，且两端分别与所述第一、第二P型体区接触；其中：所述第一、第二P柱底端均连接有至少一个P岛结构，所述P岛结构位于所述N型漂移层中。本发明中，所述P岛结构的存在可以有效增加沟槽深度，优化沟槽底部掺杂，并结合底部辅助耗尽层，从而在现有的工艺能力条件下，进一步提高超结MOSFET的耐压范围，拓展其应用领域。
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公开(公告)号：CN105846656B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610404087.8
申请日：2016-06-08
申请人： 无锡同方微电子有限公司
IPC分类号： H02M1/06
摘要： 本发明设计一种门极可关断晶闸管低导通维持电路及控制方法，其特征在于：包括比较器U1、控制芯片U2、电流传感器、温度传感器和电流回路，所述比较器U1的输入端连接有电流传感器和基准电压Vref，输出端与控制芯片U2连接，所述电流传感器与电流回路连接，所述控制芯片U2与温度传感器和电流回路连接，所述温度传感器与GTO二极管连接；本发明电路是根据CS驱动控制信号，在控制芯片U2的控制下，通过不同的时序逻辑，依次开通关断MOSFET器件QE、QP、QC、QS，形成电流回路，来实现GTO二极管导通所需的高脉冲电流和导通维持电流，同时该电路还集成了电流传感功能和温度检测功能，进一步实现对GTO二极管注入电流的调节和控制。
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