发明授权
- 专利标题: 溅射装置和溅射成膜方法
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申请号: CN201380030025.X申请日: 2013-03-12
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公开(公告)号: CN104364418B公开(公告)日: 2016-06-15
- 发明人: 佐佐木雅夫
- 申请人: 佳能安内华股份有限公司
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: 佳能安内华股份有限公司
- 当前专利权人: 佳能安内华股份有限公司
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 吕林红
- 优先权: 2012-131132 2012.06.08 JP
- 国际申请: PCT/JP2013/001595 2013.03.12
- 国际公布: WO2013/183202 JA 2013.12.12
- 进入国家日期: 2014-12-08
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35 ; C23C14/34
摘要:
溅射装置具备具有磁铁的3个靶,磁铁(7a、7b、7c)的每一个被控制成进行从顺方向的行程端向逆方向移动后停止的第1移动、从第1移动后的停止位置移动到逆方向的逆方向的行程端后停止的第2移动、和从逆方向的行程端移动到顺方向的行程端后停止的第3移动。并且,成膜时被控制成,第1移动的期间形成于基板的第1膜、第2移动的期间形成于基板的第2膜、和第3移动的期间形成于基板的第3膜由各不相同的靶(4a、4b、4c)成膜,而且第1、第2、第3膜在基板上重叠。
公开/授权文献
- CN104364418A 溅射装置和溅射成膜方法 公开/授权日:2015-02-18
IPC分类: