本发明一种纳米硅薄膜太阳能电池椭圆偏振光谱实时监控制备方法，它有七大步骤。采用化学法对单晶硅片进行各向异性腐蚀，形成金字塔状的绒面硅片衬底；采用等离子体增强化学气相沉法制备晶态含量在50±5％之间，晶态峰在502?518cm?1之间的本征纳米硅膜，并通过在沉积过程中掺入PH3等制备N型纳米硅薄膜，掺入B2H5等制备P型纳米硅薄膜；在上述沉积纳米硅薄膜过程中，采用椭圆偏振光谱实时监控薄膜生长过程的制备方法，这是本专利申请的核心技术；采用热蒸发方法或磁控溅射方法制备纳米硅薄膜太阳能电池的背电极和上电极及透明电极。经上述工艺便可制备出其具有重复性的高光电转换效率的纳米硅薄膜太阳能电池。