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公开(公告)号：CN101580379B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200910087558.7
申请日：2009-06-29
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/06
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/086
摘要： 一种掺铌纳米铟锡氧化物粉末及其高密度溅射镀膜靶材的制备方法，包括以下步骤：(1)对高纯金属进行溶解：用无机酸溶解高纯金属铌、高纯金属铟、高纯金属锡成透明溶液；(2)配料：将透明溶液按比例分装容器；(3)化学沉淀：将三种透明溶液制得掺铌重掺锡的氢氧化铟纳米粉末；(4)清洗：用去离子水清洗掺铌重掺锡的氢氧化铟纳米粉末并沉淀；(5)煅烧：将纳米粉末进行煅烧，制得掺铌纳米铟锡氧化物粉末；(6)造粒：将掺铌纳米铟锡氧化物粉末加入粘合剂并干燥，制得掺铌的铟锡氧化物成型前粉未；(7)成型：将掺铌的铟锡氧化物成型前粉末压制成初胚；(8)烧结：将初坯进行常压烧结，制得高密度掺铌的铟锡氧化物溅射镀膜靶材；若要进一步提高该靶密度，则采用气压烧结。
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公开(公告)号：CN101580379A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910087558.7
申请日：2009-06-29
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/34 , C23C14/06
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/086
摘要： 一种掺铌纳米铟锡氧化物粉末及其高密度溅射镀膜靶材的制备方法，包括以下步骤：(1)对高纯金属进行溶解：用无机酸溶解高纯金属铌、高纯金属铟、高纯金属锡成透明溶液；(2)配料：将透明溶液按比例分装容器；(3)化学沉淀：将三种透明溶液制得掺铌重掺锡的氢氧化铟纳米粉末；(4)清洗：用去离子水清洗掺铌重掺锡的氢氧化铟纳米粉末并沉淀；(5)煅烧：将纳米粉末进行煅烧，制得掺铌纳米铟锡氧化物粉末；(6)造粒：将掺铌纳米铟锡氧化物粉末加入粘合剂并干燥，制得掺铌的铟锡氧化物成型前粉未；(7)成型：将掺铌的铟锡氧化物成型前粉末压制成初胚；(8)烧结：将初胚进行常压烧结，制得高密度掺铌的铟锡氧化物溅射镀膜靶材；若要进一步提高该靶密度，则采用气压烧结。
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公开(公告)号：CN115015903B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210626011.5
申请日：2022-06-02
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明涉及一种雷达序贯图像动目标检测方法及系统，具体涉及信号处理技术领域。所述方法包括：对雷达真实数据依次进行分割和快速傅里叶变换得到每帧雷达距离压缩数据对应的图像；对各图像分别进行归一化处理得到归一化图像；根据所有归一化图像得到各像素点的时间维向量；根据时间维向量和一些预设参数计算像素点时间维向量的二次有理核函数结果向量；根据二次有理核函数结果向量得到二维矩阵；根据所有像素点的二次有理核函数结果向量对二维矩阵中的各元素分别进行归一化处理得到核函数归一化结果；根据预设判决阈值和核函数归一化结果对雷达序贯图像进行动目标检测。本发明可显著提升低信噪比下运动目标探测性能，提高检测结果的准确度。
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公开(公告)号：CN104393116B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410668906.0
申请日：2014-11-20
申请人： 北京航空航天大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明一种纳米硅薄膜太阳能电池椭圆偏振光谱实时监控制备方法，它有七大步骤。采用化学法对单晶硅片进行各向异性腐蚀，形成金字塔状的绒面硅片衬底；采用等离子体增强化学气相沉法制备晶态含量在50±5％之间，晶态峰在502?518cm?1之间的本征纳米硅膜，并通过在沉积过程中掺入PH3等制备N型纳米硅薄膜，掺入B2H5等制备P型纳米硅薄膜；在上述沉积纳米硅薄膜过程中，采用椭圆偏振光谱实时监控薄膜生长过程的制备方法，这是本专利申请的核心技术；采用热蒸发方法或磁控溅射方法制备纳米硅薄膜太阳能电池的背电极和上电极及透明电极。经上述工艺便可制备出其具有重复性的高光电转换效率的纳米硅薄膜太阳能电池。
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公开(公告)号：CN105734521A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201511029575.7
申请日：2015-12-31
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明涉及一种金属薄膜生长椭园偏振光谱实时监控方法。采用真空镀膜样品台和椭园偏振光谱实时监控系统一体化结构；将光钎偶合器、光钎准直系统、小孔光拦、步进电机、角编码器、起偏器、检偏器、光钎光谱仪等分别封装在左右两个密封盒里；采用光纤将复合光输入到其中一个上述密封盒里，再从出射小孔输出直线偏振光谱束，并按给定入射角入射到样品表面，经反射或透射到另一个上述密封盒里，对这种携带着薄膜信息的反射偏振光谱束或透射偏振光谱束实时探测并实时反馈到镀膜设备系统中进行实时监控。这种椭园偏振光谱实时监控方法适合于各种真空镀膜系统如磁控溅射镀膜系统和等离子体增强化学气相沉积镀膜系统等。
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公开(公告)号：CN104393116A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410668906.0
申请日：2014-11-20
申请人： 北京航空航天大学
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1804 , C23C14/547
摘要： 本发明一种纳米硅薄膜太阳能电池椭园偏振光谱实时监控制备方法，它有七大步骤。采用化学法对单晶硅片进行各向异性腐蚀，形成金字塔状的绒面硅片衬底；采用等离子体增强化学气相沉法制备晶态含量在50±5％之间，晶态峰在502-518cm-1之间的本征纳米硅膜，并通过在沉积过程中掺入PH3等制备N型纳米硅薄膜，掺入B2H5等制备P型纳米硅薄膜；在上述沉积纳米硅薄膜过程中，采用椭园偏振光谱实时监控薄膜生长过程的制备方法，这是本专利申请的核心技术；采用热蒸发方法或磁控溅射方法制备纳米硅薄膜太阳能电池的背电极和上电极及透明电极。经上述工艺便可制备出其具有重复性的高光电转换效率的纳米硅薄膜太阳能电池。
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公开(公告)号：CN1074777A
公开(公告)日：1993-07-28
申请号：CN92100289.0
申请日：1992-01-20
申请人： 北京航空航天大学
IPC分类号： G11B7/24
摘要： 本发明属光盘存储技术领域。记录介质的可逆相变发生在玻璃态与晶态之间。写入信息对应介质从晶态到玻璃态的转变，擦除则相反，技术上应解决的问题是：玻璃态的热稳性：即写入信息能长期保存；写入后的快擦除：即晶化速率应尽可能快；相变中的热疲劳：即写/擦循环数应尽可能高。本发明设计的材料具有(1)较大光能隙，(2)光致突发晶化，(3)适用于不同波段。因而能够较好解决以上难题，并可制成直接重写数据盘用于计算机外存，或制成录相盘作图像处理专用。
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公开(公告)号：CN116385886A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310423473.1
申请日：2023-04-19
申请人： 北京航空航天大学
IPC分类号： G06V20/10 , G06V20/54 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/047 , G06N3/048 , G06N3/08
摘要： 本发明实施例涉及目标检测技术领域，特别涉及一种基于TextCNN模型的舰船距离压缩域数据检测方法，包括：获取有标签的SAR舰船数据，并进行距离压缩处理，得到样本舰船数据集；基于得到的所述样本舰船数据集，划分训练集和验证集；构建TextCNN模型，用于目标检测；利用所述训练集和验证集对构建的TextCNN模型进行训练，得到训练后的TextCNN模型；获取待检测的SAR舰船数据，并进行距离压缩处理，得到检测数据；将得到的检测数据输入训练后的TextCNN模型，进行舰船目标检测，得到对应的检测结果。本发明能够提高利用距离压缩域数据检测舰船目标的准确性。
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公开(公告)号：CN103408062B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310334546.6
申请日：2013-08-02
IPC分类号： C01G9/02 , C04B35/453 , C04B35/622
摘要： 一种铝镓共掺氧化锌纳米粉末及其高密度高电导溅射镀膜靶材的制备方法，制备步骤有：1、对高纯金属进行溶解成透明硝酸铝、硝酸锌及硝酸镓溶液；2、配料：将三种透明溶液按比例分装容器；3、化学沉淀：采用均相共沉淀法将三种透明溶液按比例和规定工序，制得铝镓共掺杂氧化锌纳米粉末；4、清洗：将混和沉淀物经去离子水冲洗并充分搅伴，直到无其他离子为止；5、煅烧：将纳米粉末放入高温炉进行煅烧，制得铝镓共掺杂氧化锌纳米粉末；6、造粒：将铝镓共掺杂纳米锌氧化物粉末加入粘合剂并干燥，制得铝镓共掺杂纳米氧化锌成型前粉未；7、成型：将铝镓共掺杂氧化锌成型前粉末压制成初胚；8、烧结：将初胚放入高温炉里，进行常压烧结或气压烧结。
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公开(公告)号：CN102534573A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210006459.3
申请日：2012-01-10
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备，它是一种形状、构造相同的连续性结构，该结构是由左法兰、主真空腔室、隔离板、高真空密封阀门装置、副真空腔室、右法兰、大密封板从左到右依序排列而组成，左法兰和主真空腔室之间采用氩弧焊连接；主真空腔室和隔离板之间采用氩弧焊连接；隔离板和副真空腔室之间采用氩弧焊连接；隔离板和高真空密封阀门装置之间采用氟胶圈密封；副真空腔室和右法兰之间采用氩弧焊连接；高真空密封阀门装置和右法兰之间采用氟胶圈密封；右法兰和大密封板之间采用氟胶圈密封连接；重复按此顺序连接，就实现多真空腔室连接，从而展开无污染的多层膜制备。本发明在真空镀膜设备实时监控技术领域里有广阔地应用前景。
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