发明授权
CN104409649B 一种低压有机发光二极管及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种低压有机发光二极管及其制备方法
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申请号: CN201410667793.2申请日: 2014-11-20
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公开(公告)号: CN104409649B公开(公告)日: 2016-08-24
- 发明人: 吴晓明 , 辛利文 , 张欣 , 于倩倩 , 高建 , 华玉林 , 印寿根
- 申请人: 天津理工大学
- 申请人地址: 天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区
- 专利权人: 天津理工大学
- 当前专利权人: 天津理工大学
- 当前专利权人地址: 天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区
- 代理机构: 天津佳盟知识产权代理有限公司
- 代理商 侯力
- 主分类号: H01L51/50
- IPC分类号: H01L51/50 ; H01L51/54 ; H01L51/56
摘要:
一种低压高效有机发光二极管,由带有ITO的玻璃衬底、空穴传输层、p型掺杂发光层、i型本征发光层、n型掺杂发光层、电子传输层、复合电子注入层和阴极依次组成叠层结构,其中p型掺杂发光层采用掺入蓝光荧光染料的空穴传输材料;i型本征发光层采用蓝光荧光染料;n型掺杂发光层采用掺入蓝光荧光染料的电子传输材料,这三层发光层简称p?i?n发光层,复合电子注入层由插入薄铝层的碳酸铯组成。本发明的优点是:该有机发光二极管含有在碳酸铯层中插入薄铝层的复合电子注入层和p?i?n型发光层,提高了发光效率,延缓了效率衰减,具有低驱动电压、高亮度、高效率、稳定性好和制备工艺简单等优点。
公开/授权文献
- CN104409649A 一种低压高效有机发光二极管及其制备方法 公开/授权日:2015-03-11