发明公开
CN104445373A 一种亚10纳米NaGdF4纳米晶的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种亚10纳米NaGdF4纳米晶的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of sub-10-nanometer NaGdF4 nanocrystal
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申请号: CN201410735029.4申请日: 2014-12-05
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公开(公告)号: CN104445373A公开(公告)日: 2015-03-25
- 发明人: 钱海生 , 丁彬彬 , 章富 , 刘坤 , 李耀武 , 彭煌用 , 陶伟 , 杨显珠
- 申请人: 合肥工业大学
- 申请人地址: 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
- 专利权人: 合肥工业大学
- 当前专利权人: 合肥工业大学
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
- 代理机构: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
- 代理商 何梅生
- 主分类号: C01G11/00
- IPC分类号: C01G11/00 ; C01B9/08 ; B82Y30/00
摘要:
本发明公开了一种亚10纳米NaGdF4纳米晶的制备方法,其特征在于:通过以氟化氨和氢氧化钠作为氟源与钠源,在高温下快速注射油酸钆复合物前驱体来制备NaGdF4纳米晶。本发明在制备亚10纳米NaGdF4纳米材料的过程中,不仅避免了加入生成非晶的NaGdF4的反应过程;而且避免了在除甲醇的过程中需要严格控制反应的温度与时间等反应参数以避免晶体在低温下结晶成核与生长而得到较大的颗粒尺寸,操作简单易控制,易于推广生产。
公开/授权文献
- CN104445373B 一种亚10纳米NaGdF4纳米晶的制备方法 公开/授权日:2016-02-24
IPC分类: