本发明涉及一种瞬态电压抑制器件及其制造方法。该器件包括半导体衬底，形成在半导体衬底上的外延层，形成在半导体衬底和外延层之间的埋层区，和形成在所述外延层中并延伸至衬底的隔离区。该器件进一步包括TVS管，包括形成在隔离区中的基区和形成在该基区中的发射区；至少一个第一二极管，每一第一二极管包括形成在埋层区上外延区中的扩散区、形成在该扩散区中的发射区，以及形成在所述埋层区上外延区中的基区；至少一个第二二极管，每一第二二极管包括形成在隔离区中的基区，以及形成在外延区中的发射区，以及形成在半导体衬底另一侧上的第一电极，形成在外延层表面上用于形成所述瞬态电压抑制器件的金属布线层。