- 专利标题: 具有过渡层的晶硅及锗化硅薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制备方法
- 专利标题(英): Crystal silicon and silicon germanide film compound unijunction PIN solar battery with transition layer, and preparation method thereof
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申请号: CN201410699067.9申请日: 2014-11-27
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公开(公告)号: CN104505418A公开(公告)日: 2015-04-08
- 发明人: 何湘衡 , 李廷凯
- 申请人: 湖南共创光伏科技有限公司
- 申请人地址: 湖南省衡阳市雁峰区白沙洲工业园区鸿园路1号
- 专利权人: 湖南共创光伏科技有限公司
- 当前专利权人: 湖南共创光伏科技有限公司
- 当前专利权人地址: 湖南省衡阳市雁峰区白沙洲工业园区鸿园路1号
- 代理机构: 长沙正奇专利事务所有限责任公司
- 代理商 马强; 刘佳芳
- 主分类号: H01L31/075
- IPC分类号: H01L31/075 ; H01L31/0735 ; H01L31/077 ; H01L31/18
摘要:
本发明提供了一种具有过渡层的晶硅及锗化硅薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池在n型硅晶片的前表面或者在n型硅晶片的背表面或者在n型硅晶片的前表面和背表面同时设有过渡层;所述过渡层为一层或者多层,其中任意一层均为富硅氧化硅层。所述制备方法在硅片完成制绒、抛光和清洗后,加入了前氢化干燥处理,同时,在完成此过渡层的工艺后,加入了后氢化处理方式,两种方法用于改善界面质量和结构的稳定性。采用这种过渡层并采用了前氢化干燥处理和后氢化处理过的具有过渡层的晶硅及锗化硅薄膜复合型电池,可以在原来的基础上将电池转换效率提高10%以上。
公开/授权文献
- CN104505418B 具有过渡层的晶硅及锗化硅薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制备方法 公开/授权日:2017-08-11