- 专利标题: 一种基于二阶微分的修正L曲线电学层析成像重建方法
- 专利标题(英): Corrected L-curve electrical tomography reconstruction method based on second-order differential
-
申请号: CN201510022756.0申请日: 2015-01-16
-
公开(公告)号: CN104535294A公开(公告)日: 2015-04-22
- 发明人: 许燕斌 , 裴仰 , 董峰
- 申请人: 天津大学
- 申请人地址: 天津市南开区卫津路92号
- 专利权人: 天津大学
- 当前专利权人: 天津大学
- 当前专利权人地址: 天津市南开区卫津路92号
- 代理机构: 天津市北洋有限责任专利代理事务所
- 代理商 程毓英
- 主分类号: G01M10/00
- IPC分类号: G01M10/00
摘要:
本发明提供一种基于二阶微分的修正L曲线电学层析成像重建方法,适用于泡状流层析成像,包括:根据被测场域,获取重建所需的相对边界测量值向量b和灵敏度矩阵A;利用Tikhonov正则化,计算并绘制L-曲线;判断L-曲线是否存在局部拐点;若不存在局部拐点,则通过L-曲线法确定优化选取的正则化系数;若存在局部拐点,通过修正的L-曲线法确定优化选取的正则化系数,方法为:通过计算L-曲线二阶微分的第二大峰值确定曲线的局部拐点,并将此局部拐点对应的正则化系数作为优化选取的系数;将正则化系数代入Tikhonov正则化中进行图像重建逆问题求解;成像。本发明有利于电学层析成像逆问题的精确求解,提高了图像重建质量。
公开/授权文献
- CN104535294B 一种基于二阶微分的修正L曲线电学层析成像重建方法 公开/授权日:2017-02-22