Invention Grant
- Patent Title: 用于多孔电化学电容器的毫微级加工结构
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Application No.: CN201380045135.3Application Date: 2013-06-24
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Publication No.: CN104584159BPublication Date: 2019-07-09
- Inventor: D.S.贾纳 , C.W.霍尔斯瓦特 , 金薇
- Applicant: 英特尔公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 英特尔公司
- Current Assignee: 英特尔公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 徐予红; 汤春龙
- Priority: 13/631579 20120928 US
- International Application: PCT/US2013/047404 2013.06.24
- International Announcement: WO2014/051772 EN 2014.04.03
- Date entered country: 2015-02-27
- Main IPC: H01G4/005
- IPC: H01G4/005

Abstract:
本发明的实施例描述能量存储设备、多孔电极和形成方法。在一个实施例中,一种能量存储设备包括包含成锐角延伸到导电结构中的多个主通道的多孔结构。在一个实施例中,一种能量存储设备包括包含V槽凹进阵列或棱锥形凹进阵列的多孔结构。
Public/Granted literature
- CN104584159A 用于多孔电化学电容器的毫微级加工结构 Public/Granted day:2015-04-29
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