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公开(公告)号：CN104025225B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201180074610.0
申请日：2011-11-03
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: B81B7/0077 , C25F3/02 , C25F3/12 , H01G11/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01M4/00 , H01M4/044 , H01M4/386 , Y02E60/13
Abstract: 一种储能结构包括储能装置，储能装置包括包含多个通道(111、121)的至少一个多孔结构(110、120、510、1010)，多个通道(111、121)的每一个具有到多孔结构的表面(115、116、515、516、1015、1116)的开口(112、122)，并且进一步包括用于储能装置的支承结构(102、402、502、1002)。在特定的实施例中，多孔结构和支承结构两者都由第一材料形成，并且支承结构物理接触储能装置的第一部分(513、813、1213)并且暴露储能装置的第二部分(514、814、1214)。
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公开(公告)号：CN104584159A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380045135.3
申请日：2013-06-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/26 , C25F3/02 , C25F3/12 , C25F3/14 , H01G11/32 , H01G11/50 , H01G11/52 , H01G11/86 , H01L28/82 , H01M4/0442 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/1393 , H01M4/76 , H01M4/80 , H01M2004/021 , Y02E60/13 , Y10T29/49126
Abstract: 本发明的实施例描述能量存储设备、多孔电极和形成方法。在一个实施例中，一种能量存储设备包括包含成锐角延伸到导电结构中的多个主通道的多孔结构。在一个实施例中，一种能量存储设备包括包含V槽凹进阵列或棱锥形凹进阵列的多孔结构。
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公开(公告)号：CN103988271A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201180075699.2
申请日：2011-12-21
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/56 , H01G11/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01G11/54 , H01G11/84 , H01G11/86 , H01G2009/0007 , H01L28/84 , Y02E60/13
Abstract: 在本发明的一个实施例中，描述一种储能器件，其包括一对导电多孔机构，其中该导电多孔结构中每一个包含装填到多个细孔中的电解质。固态或半固态电解质层将此对导电多孔结构分隔，并渗透此对导电多孔结构的多个细孔。在本发明的实施例中，在衬底上形成导电多孔结构，其中导电多孔结构包含多个细孔。然后将电解质装填到多个细孔中，并在导电多孔结构上方形成电解质层。在一个实施例中，电解质层渗透导电多孔结构的多个细孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104541348B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201380044088.0
申请日：2013-06-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/26 , H01G9/0029 , H01G11/04 , H01G11/30 , H01G11/86 , H01L28/82 , Y02E60/13 , Y10T29/417
Abstract: 能量储存装置包括：第一电极(110，510)，其包括包含第一电解质(150，514)的第一多个通道(111，512)；以及第二电极(120，520)，其中包括包含第二电解质(524)的第二多个通道(121，522)。第一电极具有第一表面(115，511)，以及第二电极具有第二表面(125，521)。第一和第二电极中的至少一个是多孔硅电极，以及第一和第二表面中的至少一个包括钝化层(535)。
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公开(公告)号：CN103988271B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201180075699.2
申请日：2011-12-21
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/56 , H01G11/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01G11/54 , H01G11/84 , H01G11/86 , H01G2009/0007 , H01L28/84 , Y02E60/13
Abstract: 在本发明的一个实施例中，描述一种储能器件，其包括一对导电多孔机构，其中该导电多孔结构中每一个包含装填到多个细孔中的电解质。固态或半固态电解质层将此对导电多孔结构分隔，并渗透此对导电多孔结构的多个细孔。在本发明的实施例中，在衬底上形成导电多孔结构，其中导电多孔结构包含多个细孔。然后将电解质装填到多个细孔中，并在导电多孔结构上方形成电解质层。在一个实施例中，电解质层渗透导电多孔结构的多个细孔。
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公开(公告)号：CN104541348A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380044088.0
申请日：2013-06-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/26 , H01G9/0029 , H01G11/04 , H01G11/30 , H01G11/86 , H01L28/82 , Y02E60/13 , Y10T29/417
Abstract: 能量储存装置包括：第一电极(110，510)，其包括包含第一电解质(150，514)的第一多个通道(111，512)；以及第二电极(120，520)，其中包括包含第二电解质(524)的第二多个通道(121，522)。第一电极具有第一表面(115，511)，以及第二电极具有第二表面(125，521)。第一和第二电极中的至少一个是多孔硅电极，以及第一和第二表面中的至少一个包括钝化层(535)。
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公开(公告)号：CN104584159B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201380045135.3
申请日：2013-06-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/26 , C25F3/02 , C25F3/12 , C25F3/14 , H01G11/32 , H01G11/50 , H01G11/52 , H01G11/86 , H01L28/82 , H01M4/0442 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/1393 , H01M4/76 , H01M4/80 , H01M2004/021 , Y02E60/13 , Y10T29/49126
Abstract: 本发明的实施例描述能量存储设备、多孔电极和形成方法。在一个实施例中，一种能量存储设备包括包含成锐角延伸到导电结构中的多个主通道的多孔结构。在一个实施例中，一种能量存储设备包括包含V槽凹进阵列或棱锥形凹进阵列的多孔结构。
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公开(公告)号：CN104025225A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201180074610.0
申请日：2011-11-03
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: B81B7/0077 , C25F3/02 , C25F3/12 , H01G11/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01M4/00 , H01M4/044 , H01M4/386 , Y02E60/13
Abstract: 一种储能结构包括储能装置，储能装置包括包含多个通道(111、121)的至少一个多孔结构(110、120、510、1010)，多个通道(111、121)的每一个具有到多孔结构的表面(115、116、515、516、1015、1116)的开口(112、122)，并且进一步包括用于储能装置的支承结构(102、402、502、1002)。在特定的实施例中，多孔结构和支承结构两者都由第一材料形成，并且支承结构物理接触储能装置的第一部分(513、813、1213)并且暴露储能装置的第二部分(514、814、1214)。
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