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公开(公告)号：CN103988271B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201180075699.2
申请日：2011-12-21
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/56 , H01G11/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01G11/54 , H01G11/84 , H01G11/86 , H01G2009/0007 , H01L28/84 , Y02E60/13
Abstract: 在本发明的一个实施例中，描述一种储能器件，其包括一对导电多孔机构，其中该导电多孔结构中每一个包含装填到多个细孔中的电解质。固态或半固态电解质层将此对导电多孔结构分隔，并渗透此对导电多孔结构的多个细孔。在本发明的实施例中，在衬底上形成导电多孔结构，其中导电多孔结构包含多个细孔。然后将电解质装填到多个细孔中，并在导电多孔结构上方形成电解质层。在一个实施例中，电解质层渗透导电多孔结构的多个细孔。
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公开(公告)号：CN104584159B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201380045135.3
申请日：2013-06-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/26 , C25F3/02 , C25F3/12 , C25F3/14 , H01G11/32 , H01G11/50 , H01G11/52 , H01G11/86 , H01L28/82 , H01M4/0442 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/1393 , H01M4/76 , H01M4/80 , H01M2004/021 , Y02E60/13 , Y10T29/49126
Abstract: 本发明的实施例描述能量存储设备、多孔电极和形成方法。在一个实施例中，一种能量存储设备包括包含成锐角延伸到导电结构中的多个主通道的多孔结构。在一个实施例中，一种能量存储设备包括包含V槽凹进阵列或棱锥形凹进阵列的多孔结构。
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公开(公告)号：CN104584159A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380045135.3
申请日：2013-06-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/26 , C25F3/02 , C25F3/12 , C25F3/14 , H01G11/32 , H01G11/50 , H01G11/52 , H01G11/86 , H01L28/82 , H01M4/0442 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/1393 , H01M4/76 , H01M4/80 , H01M2004/021 , Y02E60/13 , Y10T29/49126
Abstract: 本发明的实施例描述能量存储设备、多孔电极和形成方法。在一个实施例中，一种能量存储设备包括包含成锐角延伸到导电结构中的多个主通道的多孔结构。在一个实施例中，一种能量存储设备包括包含V槽凹进阵列或棱锥形凹进阵列的多孔结构。
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公开(公告)号：CN103988271A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201180075699.2
申请日：2011-12-21
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/56 , H01G11/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01G11/54 , H01G11/84 , H01G11/86 , H01G2009/0007 , H01L28/84 , Y02E60/13
Abstract: 在本发明的一个实施例中，描述一种储能器件，其包括一对导电多孔机构，其中该导电多孔结构中每一个包含装填到多个细孔中的电解质。固态或半固态电解质层将此对导电多孔结构分隔，并渗透此对导电多孔结构的多个细孔。在本发明的实施例中，在衬底上形成导电多孔结构，其中导电多孔结构包含多个细孔。然后将电解质装填到多个细孔中，并在导电多孔结构上方形成电解质层。在一个实施例中，电解质层渗透导电多孔结构的多个细孔。
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