发明授权
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
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申请号： CN201380044909.0申请日： 2013-09-10
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公开(公告)号： CN104603915B公开(公告)日： 2017-09-22
- 发明人: 藤本和德 , 堀井拓 , 木村真二 , 木本美津男
- 申请人： 住友电气工业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府大阪市
- 专利权人： 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人： 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府大阪市
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 李兰; 孙志湧
- 优先权： 2012-227653 20121015 JP
- 国际申请： PCT/JP2013/074318 2013.09.10
- 国际公布： WO2014/061373 JA 2014.04.24
- 进入国家日期： 2015-02-27
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/336 ; H01L21/768 ; H01L23/522 ; H01L29/12 ; H01L29/417 ; H01L29/78
摘要：
一种半导体器件(1)，包括：由碳化硅制成的衬底(10)；形成在衬底(10)的表面(10A)上的绝缘膜(20,40)；不含Al的缓冲膜(51)；以及含Al的电极(52)。衬底(10)具有导电区(12)。在半导体器件中，接触孔(80)形成在导电区(12)上方使其延伸通过绝缘膜(20,40)并且暴露衬底(10)的表面(10A)。缓冲膜(51)从接触孔(80)的底表面(80B)起在接触孔(80)的侧壁表面(80A)上向上延伸。电极(52)形成为与接触孔(80)的底表面(80B)上的导电区(12)接触并且形成在绝缘膜(20,40)上，且缓冲膜(51)插入在其间。
公开/授权文献
- CN104603915A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2015-05-06
IPC分类:
