远紫外线光刻工艺和掩模

Invention Grant

Abstract:

本发明公开了远紫外线光刻(EUVL)的系统。该系统包括具有反射式相移光栅块(PhSGB)的掩模。该系统还包括照射装置以曝光掩模从而产生来自掩模的得到的反射光。得到的反射光主要包含衍射光。该系统还具有投影光学系统以收集并导向得到的反射光从而曝光目标。本发明还公开了远紫外线光刻工艺和掩模。

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Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

G	物理
G03	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F	图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G）
G03F7/00	图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L21/00，H05K）
G03F7/20	.曝光及其设备（复制用照相印制设备入G03B27/00）