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公开(公告)号：CN118818911A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410859476.4
申请日：2018-08-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种半导体结构的制造方法，包括以一标的发射器发射一标的至一激发腔中；以一第一激光发射器发射一预脉冲激光至该激发腔中的一激发区域以照射该标的，其中该预脉冲激光具有一第一功率以加热该标的；以一第二激光发射器发射一脉冲激光至该激发腔中的该激发区域以照射该标的，其中该脉冲激光具有大于该第一功率的一第二功率，以激发雾状该标的成为等离子体并发射极紫外线；以及将该极紫外线经由一光掩模导向至一晶片，以对该晶片进行一光刻工艺。
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公开(公告)号：CN111708250B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010531834.0
申请日：2013-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/22 , G03F1/50 , G03F1/20 , G03F1/58 , G03F7/039 , G03F7/095 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了用于光刻曝光工艺的掩模的一个实施例。该掩模包括：掩模衬底；第一掩模材料层，被图案化以具有限定第一层图案的多个第一开口；以及第二掩模材料层，被图案化以具有限定第二层图案的多个第二开口。本发明还公开了利用单次曝光形成多层图案的具有三种状态的光掩模。
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公开(公告)号：CN107068542B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201611202278.2
申请日：2016-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明的实施例公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上方形成辐射可去除材料(RRM)层并且通过将RRM层的第一部分暴露于辐射束来去除衬底的第一区域中的RRM层的第一部分。在去除第一区域中的RRM层的第一部分之后，保留衬底的第二区域中的RRM层的第二部分。该方法还包括在衬底的第二区域中的RRM层的第二部分上方形成选择性形成层(SFL)以及在衬底的第一区域上方形成材料层。
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公开(公告)号：CN107015431B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201611063636.6
申请日：2016-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明根据一些实施例提供了一种用于半导体光刻工艺的装置。该装置包括具有导热表面的薄膜；多孔薄膜框架；以及将薄膜固定至多孔薄膜框架的导热粘合层。多孔薄膜框架包括从多孔薄膜框架的外表面连续延伸至多孔薄膜框架的内表面的多个孔道。本发明的实施例还涉及用于先进光刻的薄膜组件和方法。
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公开(公告)号：CN111640652A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010429964.3
申请日：2015-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种图案化衬底的方法。该方法包括图案化形成在衬底上方的光刻胶层以生成光刻胶图案，以及利用离子束来处理该光刻胶图案。离子束由诸如CH4、SiH4、Ar或He的气体生成，并且该离子束以至少10°的倾斜角度被引导至光刻胶图案。在实施例中，离子束以一致的扭转角度或具有单峰或双峰分布的扭转角度被引导至光刻胶图案。离子束减小了光刻胶图案的线边缘粗糙度(LER)、线宽粗糙度(LWR)和/或临界尺寸。该方法还包括利用被处理的光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻衬底。本发明还提供了用于集成电路图案化的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110824852A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810916154.3
申请日：2018-08-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种激光系统，包括一种子激光装置，配置以发射一输出激光、以及一激光功率放大装置，配置以放大输出激光的功率并发射输出激光。激光功率放大装置包括一容置腔，用以容纳一增益介质，包括一第一开口以及一第二开口、一入射透光元件，设置于第一开口、一出射透光元件，设置于第二开口、以及一能量泵浦，配置以提供能量于增益介质。入射透光元件与输出激光之间具有一第一布鲁斯特角。本公开还提供一种光刻设备。
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公开(公告)号：CN105629657B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201510843839.6
申请日：2015-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明实施例提供了一种光刻掩模。光刻掩模包括：含有低热膨胀材料(LTEM)的衬底。反射结构设置在衬底上方。覆盖层设置在反射结构上方。吸收层设置在覆盖层上方。吸收层含有折射率在从约0.95至约1.01的范围内和消光系数大于约0.03的材料。本发明实施例涉及EUV掩模和通过使用EUV掩模的制造方法。
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公开(公告)号：CN109375471A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811222288.1
申请日：2014-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种光刻系统。该光刻系统包括配置为使用固定在掩模台上的掩模实施光刻曝光工艺的曝光模块；以及集成在曝光模块中并且设计为使用吸附机构清洗掩模和掩模台中的至少一个的清洗模块。本发明还提供了具有嵌入式清洗模块的光刻系统。
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公开(公告)号：CN107204281A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710140003.9
申请日：2017-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/0043 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/26 , G03F7/38 , H01L21/0332 , H01L21/76892
Abstract: 本发明实施例提供了一种材料组合物和方法，所述方法包括提供衬底并在衬底上形成光刻胶层。在各个实施例中，光刻胶层包括包含极紫外(EUV)吸收元件和桥接元件的多金属配合物。举例来说，EUV吸收元件包括第一金属类型，桥接元件包括第二金属类型。在一些实施例中，对光刻胶层执行曝光工艺。在执行曝光工艺之后，对曝光的光刻胶显影以形成图案化的光刻胶层。本发明实施例涉及材料组合物及其方法。
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公开(公告)号：CN107068542A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611202278.2
申请日：2016-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02172 , H01L21/02118 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/32 , H01L21/02266 , H01L21/0231
Abstract: 本发明的实施例公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上方形成辐射可去除材料(RRM)层并且通过将RRM层的第一部分暴露于辐射束来去除衬底的第一区域中的RRM层的第一部分。在去除第一区域中的RRM层的第一部分之后，保留衬底的第二区域中的RRM层的第二部分。该方法还包括在衬底的第二区域中的RRM层的第二部分上方形成选择性形成层(SFL)以及在衬底的第一区域上方形成材料层。
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