发明公开
- 专利标题: 碳化硅的晶体生长方法
- 专利标题(英): Method for growing silicon carbide crystal
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申请号: CN201410737734.8申请日: 2014-12-05
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公开(公告)号: CN104695019A公开(公告)日: 2015-06-10
- 发明人: 新谷尚史 , 滨口优 , 山形则男 , 美浓轮武久
- 申请人: 信越化学工业株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 信越化学工业株式会社
- 当前专利权人: 信越化学工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 鲁雯雯; 金龙河
- 优先权: 2013-253490 2013.12.06 JP; 2013-253502 2013.12.06 JP; 2013-253540 2013.12.06 JP; 2013-253541 2013.12.06 JP; 2013-253411 2013.12.06 JP; 2013-253426 2013.12.06 JP
- 主分类号: C30B29/36
- IPC分类号: C30B29/36 ; C30B11/00
摘要:
本发明的利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法中,作为Si-C溶液的收容部,使用以SiC为主要成分的坩埚。使Si-C溶液中含有金属元素M(M为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Lu组成的第一组、由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu组成的第二组、由Al、Ga、Ge、Sn、Pb、Zn组成的第三组的至少一组中的至少一种金属元素),加热坩埚,使源于作为坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与Si-C溶液接触的坩埚表面的高温区域向Si-C溶液内溶出。由此,抑制在与Si-C溶液接触的坩埚表面的SiC多晶的析出。
公开/授权文献
- CN104695019B 碳化硅的晶体生长方法 公开/授权日:2018-12-21