一种NMOSFET器件及其制备方法

发明授权

请登陆查看更多内容

专利标题： 一种NMOSFET器件及其制备方法
申请号： CN201410012365.6

申请日： 2014-01-10
公开(公告)号： CN104779286B

公开(公告)日： 2018-03-06
发明人: 李勇 , 肖德元
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
代理机构： 上海申新律师事务所
代理商 俞涤炯
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/08 ; H01L29/32 ; H01L21/336

摘要：

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种NMOSFET器件及其制备方法，通过在偏置侧墙制备工艺前，采用预非晶硅注入工艺在衬底中形成非晶硅区域，并继续轻掺杂工艺后，于应力记忆工艺中的热处理过程中，在非晶硅区域中形成层错，并通过在源/漏区上形成嵌入式U形应力结构，以进一步提高制备的NMOSFET器件的载流子迁移率，进而提高器件的性能。

摘要（英）：

The invention relates to the technical field of semiconductor manufacturing, and particularly relates to an NMOSFET device and a preparation method thereof. Before an offset spacer preparation technology, an amorphous silicon region is formed in a substrate by pre-amorphous implantation. After a light doping technology, a stack fault is formed in the amorphous silicon region in the heat treatment process of a stress memory technology. Moreover, a recessed U-shaped stress structure is formed in a source/drain region to further improve the carrier mobility of a prepared NMOSFET device and improve the performance of the device.

公开/授权文献

CN104779286A 一种NMOSFET器件及其制备方法公开/授权日：2015-07-15

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的