本发明描述了具有成分坡度变化的半导体沟道的非平面Ⅲ‑N晶体管。Ⅲ‑N半导体沟道的成分在过渡层与Ⅲ‑N极化层之间发生坡度变化。在实施例中，栅极堆叠体沉积在包括坡度变化的Ⅲ‑N半导体沟道的鳍状物侧壁之上，其允许响应于栅极偏置电压而在与至少两个侧壁表面相邻的Ⅲ‑N半导体沟道中形成输运沟道。在实施例中，沉积栅极堆叠体，其完全包围包括Ⅲ‑N半导体沟道的纳米线，所述Ⅲ‑N半导体沟道的成分发生坡度变化，使得能够响应于栅极偏置电压而在与极化层和过渡层二者相邻的Ⅲ‑N半导体沟道中形成输运沟道。