基于纳米管结构的金属镶嵌过程

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专利标题： 基于纳米管结构的金属镶嵌过程
专利标题（英）： NANOTUBE STRUCTURE BASED METAL DAMASCENE PROCESS
申请号： CN201510050079.3

申请日： 2015-01-30
公开(公告)号： CN104821291A

公开(公告)日： 2015-08-05
发明人: R·乔施 , J·斯泰恩布伦纳
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
申请人地址： 德国诺伊比贝尔格
专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
当前专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
当前专利权人地址： 德国诺伊比贝尔格
代理机构： 北京市金杜律师事务所
代理商 郑立柱
优先权： 14/168,025 2014.01.30 US
主分类号： H01L21/768
IPC分类号： H01L21/768 ; H01L23/538 ; B82Y40/00

摘要：

在各种实施例中，提供了一种用于在衬底上制造金属化层的方法，其中该方法可包括在衬底之上形成纳米管的多个组，其中该纳米管的组可被布置以使该衬底的部分被暴露，以及在该衬底在纳米管的多个组之间的被暴露部分之上形成金属。

摘要（英）：

In various embodiments, a method for manufacturing a metallization layer on a substrate is provided, wherein the method may include forming a plurality of groups of nanotubes over a substrate, wherein the groups of nanotubes may be arranged such that a portion of the substrate is exposed and forming metal over the exposed portion of the substrate between the plurality of groups of nanotubes.

公开/授权文献

CN104821291B 基于纳米管结构的金属镶嵌过程公开/授权日：2018-03-13

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/71	..限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造（H01L21/28，H01L21/44，H01L21/48优先）
H01L21/768	...利用互连在器件中的分离元件间传输电流