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公开(公告)号:CN105185818B
公开(公告)日:2019-02-15
申请号:CN201510283585.7
申请日:2015-05-28
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
摘要: 根据各种实施例,一种半导体晶片可以包括:包括集成电路结构的半导体本体;以及形成在该集成电路结构之上和/或形成在该集成电路结构中的至少一个四面体非晶碳层,该至少一个四面体非晶碳层可以包括大于大致0.4的sp3杂化碳的物质量分数和小于大致0.1的氢的物质量分数。
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公开(公告)号:CN105826246A
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201610055011.9
申请日:2016-01-27
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号: H01L21/768
CPC分类号: H01L23/53238 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/76885 , H01L24/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L21/768 , H01L21/76838
摘要: 本公开的实施方式涉及用于铜结构化的中间层及其形成方法。一种在半导体衬底之上形成金属化层的方法包括:在层级间电介质层之上沉积扩散阻挡衬垫的毯式层,以及在扩散阻挡衬垫之上沉积中间层的毯式层。包含铜的功率金属层的毯式层沉积在中间层之上。中间层包括主要元素和铜的固溶体。中间层具有与功率金属层不同的蚀刻选择性。在沉积功率金属层之后,对功率金属层、中间层和扩散阻挡衬垫进行结构化。
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公开(公告)号:CN110896063A
公开(公告)日:2020-03-20
申请号:CN201911274738.6
申请日:2017-03-14
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
发明人: R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC分类号: H01L23/485 , H01L23/532
摘要: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
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公开(公告)号:CN105826246B
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201610055011.9
申请日:2016-01-27
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号: H01L21/768
CPC分类号: H01L23/53238 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/76885 , H01L24/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本公开的实施方式涉及用于铜结构化的中间层及其形成方法。一种在半导体衬底之上形成金属化层的方法包括:在层级间电介质层之上沉积扩散阻挡衬垫的毯式层,以及在扩散阻挡衬垫之上沉积中间层的毯式层。包含铜的功率金属层的毯式层沉积在中间层之上。中间层包括主要元素和铜的固溶体。中间层具有与功率金属层不同的蚀刻选择性。在沉积功率金属层之后,对功率金属层、中间层和扩散阻挡衬垫进行结构化。
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公开(公告)号:CN104821291B
公开(公告)日:2018-03-13
申请号:CN201510050079.3
申请日:2015-01-30
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号: H01L21/768 , H01L23/538 , B82Y40/00
CPC分类号: H01L23/528 , H01L21/02115 , H01L21/02527 , H01L21/02606 , H01L21/02645 , H01L21/28568 , H01L21/31138 , H01L21/76801 , H01L21/7682 , H01L21/76829 , H01L21/76871 , H01L21/76877 , H01L21/76885 , H01L23/53209 , H01L23/53223 , H01L23/53228 , H01L23/53266 , H01L23/5329 , H01L2221/1047 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 在各种实施例中,提供了一种用于在衬底上制造金属化层的方法,其中该方法可包括在衬底之上形成纳米管的多个组,其中该纳米管的组可被布置以使该衬底的部分被暴露,以及在该衬底在纳米管的多个组之间的被暴露部分之上形成金属。
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公开(公告)号:CN104821291A
公开(公告)日:2015-08-05
申请号:CN201510050079.3
申请日:2015-01-30
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号: H01L21/768 , H01L23/538 , B82Y40/00
CPC分类号: H01L23/528 , H01L21/02115 , H01L21/02527 , H01L21/02606 , H01L21/02645 , H01L21/28568 , H01L21/31138 , H01L21/76801 , H01L21/7682 , H01L21/76829 , H01L21/76871 , H01L21/76877 , H01L21/76885 , H01L23/53209 , H01L23/53223 , H01L23/53228 , H01L23/53266 , H01L23/5329 , H01L2221/1047 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 在各种实施例中,提供了一种用于在衬底上制造金属化层的方法,其中该方法可包括在衬底之上形成纳米管的多个组,其中该纳米管的组可被布置以使该衬底的部分被暴露,以及在该衬底在纳米管的多个组之间的被暴露部分之上形成金属。
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公开(公告)号:CN110896063B
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN201911274738.6
申请日:2017-03-14
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
发明人: R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC分类号: H01L23/485 , H01L23/532
摘要: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
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公开(公告)号:CN107195616B
公开(公告)日:2019-12-27
申请号:CN201710149143.2
申请日:2017-03-14
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
发明人: R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC分类号: H01L23/532 , H01L21/768
摘要: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
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公开(公告)号:CN106206285B
公开(公告)日:2019-05-28
申请号:CN201610327451.5
申请日:2016-05-17
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号: H01L21/311 , H01L21/203 , H01L21/205 , C23C16/44 , C23C14/22 , C23C14/35
CPC分类号: H01L21/02115 , H01L21/02046 , H01L21/02164 , H01L21/02301 , H01L21/02315 , H01L21/28194 , H01L21/3065 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/1602 , H01L29/1604 , H01L29/51 , H01L29/66181 , H01L29/7395
摘要: 根据各种实施例,一种用于处理半导体层的方法可以包括:在远程等离子体源的等离子体室中生成蚀刻等离子体,其中,远程等离子体源的等离子体室耦合到处理室以用于处理半导体层;将蚀刻等离子体引入处理室以移除来自半导体层的表面的自然氧化层和至多是可忽略的数量的半导体层的半导体材料;并且随后,将介电层直接沉积在半导体层的表面上。
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公开(公告)号:CN107195616A
公开(公告)日:2017-09-22
申请号:CN201710149143.2
申请日:2017-03-14
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
发明人: R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC分类号: H01L23/532 , H01L21/768
摘要: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
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