用于对层进行处理的方法和用于制造电子器件的方法

Invention Publication

CN104851785A 用于对层进行处理的方法和用于制造电子器件的方法无效 - 撤回

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Patent Title: 用于对层进行处理的方法和用于制造电子器件的方法
Patent Title (English): Method for processing a layer and a method for manufacturing an electronic device
Application No.: CN201510084949.9

Application Date: 2015-02-17
Publication No.: CN104851785A

Publication Date: 2015-08-19
Inventor: F.布劳恩 , B.K.洪 , M.施梅德 , J.施奈德 , M.福格特
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Applicant Address: 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
Assignee: 英飞凌科技股份有限公司
Current Assignee: 英飞凌科技股份有限公司
Current Assignee Address: 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
Agent 蒋骏; 徐红燕
Priority: 14/181751 2014.02.17 US
Main IPC: H01L21/266
IPC: H01L21/266 ; H01L21/033

Abstract:

用于对层进行处理的方法和用于制造电子器件的方法。一种用于对层进行处理的方法可以包括：在层上方或在载体上方提供图案化碳层；以及通过图案化碳层向层中或向载体中执行离子注入。

Abstract(English):

The invention provides a method for processing a layer and a method for manufacturing an electronic device. The method for processing a layer may include: providing a patterned carbon layer over a layer or over a carrier; and carrying out an ion implantation through the patterned carbon layer into the layer or into the carrier.

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263	.....带有高能辐射的（H01L21/261优先）
H01L21/265	......产生离子注入的
H01L21/266	.......应用掩膜的