公开(公告)号：CN107293479A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710236661.8

申请日：2017-04-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H.阿斯曼 ,  F.布劳恩 ,  M.丹克尔曼 ,  S.德林 ,  K.弗里德里希 ,  U.格奇克斯 ,  A.格赖纳 ,  R.鲁道夫 ,  J.施奈德

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/266 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及用于产生自对准的掩蔽层的方法。根据不同的实施例，一种方法可以具有如下内容：在第一层中在预先限定的位置处形成被埋置的带电区域，使得被埋置的带电区域在第一层之上产生具有横向不均匀的场分布的电场；以及在使用所述场分布的情况下，在第一层上方形成第二层，使得第二层的结构与被埋置的带电区域的位置相互关联。

公开(公告)号：CN107293479B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201710236661.8

申请日：2017-04-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H.阿斯曼 ,  F.布劳恩 ,  M.丹克尔曼 ,  S.德林 ,  K.弗里德里希 ,  U.格奇克斯 ,  A.格赖纳 ,  R.鲁道夫 ,  J.施奈德

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/266 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及用于产生自对准的掩蔽层的方法。根据不同的实施例，一种方法可以具有如下内容：在第一层中在预先限定的位置处形成被埋置的带电区域，使得被埋置的带电区域在第一层之上产生具有横向不均匀的场分布的电场；以及在使用所述场分布的情况下，在第一层上方形成第二层，使得第二层的结构与被埋置的带电区域的位置相互关联。

公开(公告)号：CN104851785A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510084949.9

申请日：2015-02-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.布劳恩 ,  B.K.洪 ,  M.施梅德 ,  J.施奈德 ,  M.福格特

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/266 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32139

Abstract: 用于对层进行处理的方法和用于制造电子器件的方法。一种用于对层进行处理的方法可以包括：在层上方或在载体上方提供图案化碳层；以及通过图案化碳层向层中或向载体中执行离子注入。