公开(公告)号：CN104851785A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510084949.9

申请日：2015-02-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.布劳恩 ,  B.K.洪 ,  M.施梅德 ,  J.施奈德 ,  M.福格特

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/266 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32139

Abstract: 用于对层进行处理的方法和用于制造电子器件的方法。一种用于对层进行处理的方法可以包括：在层上方或在载体上方提供图案化碳层；以及通过图案化碳层向层中或向载体中执行离子注入。

公开(公告)号：CN103996660B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201410056337.4

申请日：2014-02-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M.莱姆克 ,  S.特根 ,  M.福格特

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/04

CPC classification number: H05K13/00 ,  H01G9/15 ,  H01G11/84 ,  H01L23/58 ,  H01L27/016 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/16 ,  H05K2201/10037 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54 ,  Y10T29/49108 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种用于制造集成电路的方法和集成电路。用于制造集成电路的方法可以包括：在载体中或在载体上方形成电子电路；形成至少一个金属化层结构，金属化层结构配置成电连接电子电路；以及在至少一个金属化层结构中至少部分地形成固态电解质电池，其中固态电解质电池电连接到电子电路。

公开(公告)号：CN103996660A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410056337.4

申请日：2014-02-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M.莱姆克 ,  S.特根 ,  M.福格特

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/04

CPC classification number: H05K13/00 ,  H01G9/15 ,  H01G11/84 ,  H01L23/58 ,  H01L27/016 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/16 ,  H05K2201/10037 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54 ,  Y10T29/49108 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种用于制造集成电路的方法和集成电路。用于制造集成电路的方法可以包括：在载体中或在载体上方形成电子电路；形成至少一个金属化层结构，金属化层结构配置成电连接电子电路；以及在至少一个金属化层结构中至少部分地形成固态电解质电池，其中固态电解质电池电连接到电子电路。