发明授权
CN104862753B 铜锌锡硫薄膜吸收层的一种电化学制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 铜锌锡硫薄膜吸收层的一种电化学制备方法
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申请号: CN201510183395.8申请日: 2015-04-18
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公开(公告)号: CN104862753B公开(公告)日: 2020-02-07
- 发明人: 王书荣 , 杨敏 , 蒋志 , 李志山 , 刘思佳 , 刘涛 , 郝瑞婷
- 申请人: 云南师范大学
- 申请人地址: 云南省昆明市呈贡区雨花片区1号
- 专利权人: 云南师范大学
- 当前专利权人: 云南师范大学
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市呈贡区雨花片区1号
- 代理机构: 北京慕达星云知识产权代理事务所
- 代理商 崔自京
- 主分类号: C25D5/10
- IPC分类号: C25D5/10 ; C25D3/56 ; C25D3/22 ; C25D5/50 ; H01L31/032
摘要:
本发明公开了一种采用两电极系统制备铜锌锡硫薄膜材料的方法,包含以下步骤:(1)电解液的配置,分别配置铜、锡混合电解液和锌镀液两种电解液;(2)金属预制层的电化学沉积,采用两电极体系首先共沉积铜锡金属层,然后再沉积锌金属层便得到铜锌锡金属预制层;(3)金属预制层的软退火与硫化,铜锡锌金属预制层先在氮气保护下低温和金后,再在硫的气氛下进行高温硫化制得铜锌锡硫薄膜;(4)铜锌锡硫薄膜的表面清洗,在有机溶剂中浸泡并用去离子水超声清洗后,用氮气吹干。相比于传统的三电极体系分部沉积法,两电极体系铜锡共沉积法在保证不降低铜锌锡硫薄膜品质的条件下,具有便于操作与控制、设备简单、节约成本等优点。
公开/授权文献
- CN104862753A 铜锌锡硫薄膜吸收层的一种电化学制备方法 公开/授权日:2015-08-26