Invention Grant
- Patent Title: 电子元器件及电子元器件的制备方法
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Application No.: CN201410070428.3Application Date: 2014-02-27
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Publication No.: CN104882470BPublication Date: 2018-10-23
- Inventor: 刘丽 , 王刚宁 , 冯喆韻 , 贺吉伟 , 蒲贤勇
- Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Agency: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- Agent 艾春慧; 吴贵明
- Main IPC: H01L29/06
- IPC: H01L29/06 ; H01L29/78 ; H01L21/762 ; H01L21/336
Abstract:
本申请提供了一种电子元器件及电子元器件的制备方法。电子元器件包括一个或多个半导体器件，其特征在于，电子元器件还包括一个或多个三维绝缘层，每个三维绝缘层形成容纳空间，其中，至少一个半导体器件的全部或一部分被至少一个三维绝缘层包裹于三维绝缘层的容纳空间内。由于设置了三维绝缘层的半导体器件以三维绝缘层进行隔离，从而，本申请的电子元器件的半导体器件具有较好的隔离效果。
Public/Granted literature
- CN104882470A 电子元器件及电子元器件的制备方法 Public/Granted day:2015-09-02
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IPC分类:
