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公开(公告)号：CN105336681B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201410363920.X
申请日：2014-07-28
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/768
摘要： 本申请公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件。其中，该制作方法包括：提供衬底，衬底内形成有埋入层；刻蚀衬底形成第一浅沟槽，第一浅沟槽的深度小于埋入层在衬底内的深度，并将相邻第一浅沟槽之间的衬底作为有源区；形成覆盖第一浅沟槽和衬底的隔离物质层；刻蚀隔离物质层和衬底，形成使部分埋入层暴露的凹槽，其中，第一浅沟槽位于有源区和凹槽之间；在凹槽中形成填充材料层。该制作方法避免了第一浅沟槽的形成过程对第一浅沟槽及填充材料层造成的损伤，进而提高了半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN103681315B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201210349799.6
申请日：2012-09-18
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/328
CPC分类号： H01L29/0623 , H01L21/2253 , H01L21/74 , H01L21/76213 , H01L21/76224 , H01L29/0821 , H01L29/732
摘要： 一种埋层的形成方法，包括；提供半导体衬底，所述衬底表面具有硬掩膜层，所述硬掩膜层具有开口；以硬掩膜层作为掩膜，在半导体衬底内形成深沟槽；在深沟槽底部进行掺杂，形成埋层。所述埋层的形成方法，工艺步骤简单，不需要外延工艺来形成有源层，降低了工艺成本，并且能够同时在衬底内形成横向的隔离结构。
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公开(公告)号：CN105336681A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410363920.X
申请日：2014-07-28
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/768
摘要： 本申请公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件。其中，该制作方法包括：提供衬底，衬底内形成有埋入层；刻蚀衬底形成第一浅沟槽，第一浅沟槽的深度小于埋入层在衬底内的深度，并将相邻第一浅沟槽之间的衬底作为有源区；形成覆盖第一浅沟槽和衬底的隔离物质层；刻蚀隔离物质层和衬底，形成使部分埋入层暴露的凹槽，其中，第一浅沟槽位于有源区和凹槽之间；在凹槽中形成填充材料层。该制作方法避免了第一浅沟槽的形成过程对第一浅沟槽及填充材料层造成的损伤，进而提高了半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN104752312A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310740774.3
申请日：2013-12-27
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76205 , H01L21/762
摘要： 本发明涉及一种局部绝缘体上硅的埋层槽的制备方法，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底将形成埋层槽的区域执行离子注入，以在所述半导体衬底中形成埋层槽离子掺杂区域；在半导体衬底上外延生长半导体材料层，以覆盖所述半导体衬底；图案化所述半导体材料层，在所述埋层槽离子掺杂区域的上方形成竖直沟槽，以露出所述埋层槽离子掺杂区域；在所述竖直沟槽的侧壁上形成间隙壁，以保护所述竖直沟槽的侧壁；蚀刻去除所述埋层槽离子掺杂区域，以在所述半导体衬底中形成埋层槽。本发明所述方法的优点在于：（1）能够得到平坦的埋层槽（Buried Trench）结构；（2）可以避免空气间隙的存在；（3）埋层槽（Buried Trench）结构的尺寸将不再受到干法蚀刻工艺的限制。
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公开(公告)号：CN104576503A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310522011.1
申请日：2013-10-28
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/762
摘要： 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括，提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成氧化层和氮化物层；图案化所述氮化物层、所述氧化层和所述半导体衬底，以形成深沟槽；氧化所述深沟槽的底部以及侧壁，以形成第一氧化物层；湿法刻蚀去除所述第一氧化物层，以使所述深沟槽的侧壁相对于所述氮化物层的侧壁向内凹陷；再氧化所述深沟槽的底部以及侧壁，以形成第二氧化物层，所述第二氧化物层与所述氮化物层的侧壁齐平；刻蚀去除位于所述深沟槽底部的所述第二氧化物层。根据本发明的制造工艺形成的热氧化侧墙绝缘能力强；深沟槽侧墙的顶端被氮化硅层保护没有损失；深沟槽侧壁的保护层均匀，对后续的填充以避免产生孔洞有很大的帮助。
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公开(公告)号：CN104882470B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201410070428.3
申请日：2014-02-27
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/762 , H01L21/336
摘要： 本申请提供了一种电子元器件及电子元器件的制备方法。电子元器件包括一个或多个半导体器件，其特征在于，电子元器件还包括一个或多个三维绝缘层，每个三维绝缘层形成容纳空间，其中，至少一个半导体器件的全部或一部分被至少一个三维绝缘层包裹于三维绝缘层的容纳空间内。由于设置了三维绝缘层的半导体器件以三维绝缘层进行隔离，从而，本申请的电子元器件的半导体器件具有较好的隔离效果。
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公开(公告)号：CN103187354B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110456993.X
申请日：2011-12-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明提供一种局部氧化硅隔离的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有垫氧化层及阻挡层；形成贯穿所述垫氧化层和所述阻挡层、并延伸至所述半导体衬底内的沟槽；在所述沟槽的底面和侧壁上形成缓冲层；进行氧化工艺，形成局部氧化硅，经过氧化，所述缓冲层被氧化形成氧化硅；以及去除位于所述局部氧化硅两侧的所述阻挡层及所述垫氧化层。通过在所述沟槽中形成缓冲层，减少氧原子的侧向侵入，而且，所述缓冲层为后续形成局部氧化硅提供硅材料，减少衬底材料的消耗，进一步减小鸟嘴效应。
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公开(公告)号：CN104347420A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310341827.4
申请日：2013-08-07
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0653 , H01L29/66659 , H01L29/66681 , H01L29/7835 , H01L29/0642 , H01L29/0646
摘要： 一种LDMOS器件及其形成方法，其中所述LDMOS器件，包括：P型衬底，所述P型衬底中具有N型掩埋隔离区；位于P型衬底上的P型外延层，所述P型外延层包括第一区域和第二区域，第一区域位于N型掩埋隔离区上方，第二区域环绕所述第一区域；位于P型外延层的第二区域中的环形沟槽，环形沟槽环绕P型外延层的第一区域，且所述环形沟槽底部暴露出N型掩埋隔离区表面；位于环形沟槽的两侧侧壁表面的隔离层；位于隔离层之间的环形沟槽内的环形导电插塞，环形导电插塞的底部与N型掩埋隔离区相接触；位于P型外延层的第一区域中的LDMOS晶体管。本发明的LDMOS器件隔离效果好，器件尺寸较小。
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公开(公告)号：CN101819934B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200910046709.4
申请日：2009-02-26
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/324 , H01L21/768 , H01L21/311 , H01L21/302
摘要： 一种在器件的掺杂多晶硅沟槽上形成钛化硅层的方法：在器件衬底依次沉积垫氧化膜、非掺杂多晶硅层及氮化硅层；根据图案化的氮化硅层，依次刻蚀氮化硅层、非掺杂多晶硅层、垫氧化膜及器件衬底，形成掺杂多晶硅沟槽；在掺杂多晶硅沟槽内沉积氧化硅层后，沉积掺杂多晶硅柱并刻蚀至垫氧化膜，在掺杂多晶硅沟槽内进行热氧化，氧化非掺杂多晶硅层侧壁，得到作为氧化硅侧墙的氧化膜；干法刻蚀掺杂多晶硅柱上的氧化膜后，依次刻蚀掺杂多晶硅沟槽上的氮化硅层、非掺杂多晶硅层、垫氧化膜及掺杂多晶硅柱上的氧化膜，沉积钛Ti并采用快速退火处理，形成TiSi2层。该方法保证所形成的TiSi2层薄膜连续且在后续金属互连层的制成工艺过程中使表面平整。
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公开(公告)号：CN103187354A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110456993.X
申请日：2011-12-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明提供一种局部氧化硅隔离的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有垫氧化层及阻挡层；形成贯穿所述垫氧化层和所述阻挡层、并延伸至所述半导体衬底内的沟槽；在所述沟槽的底面和侧壁上形成缓冲层；进行氧化工艺，形成局部氧化硅，经过氧化，所述缓冲层被氧化形成氧化硅；以及去除位于所述局部氧化硅两侧的所述阻挡层及所述垫氧化层。通过在所述沟槽中形成缓冲层，减少氧原子的侧向侵入，而且，所述缓冲层为后续形成局部氧化硅提供硅材料，减少衬底材料的消耗，进一步减小鸟嘴效应。
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