利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
CN104900698B 半导体结构及其制造方法 有权

半导体结构及其制造方法
摘要：
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一基板、一第一阱(well)、一第一重掺杂区(heavily doping region)、一场氧化层、一第一介电层以及一导电层。第一阱设置于基板上，第一重掺杂区设置于第一阱内。场氧化层设置于第一阱上且邻接于第一重掺杂区。第一介电层设置于场氧化层上并覆盖(covering)场氧化层。导电层设置于第一介电层上。第一阱及第一重掺杂区具有一第一掺杂型态。
摘要（英）：

The invention discloses a semiconductor structure and a manufacturing method thereof. The semiconductor structure comprises a substrate, a first well, a first heavily doping region, a field oxide, a first dielectric layer, and a conductive layer. The first well is disposed on the substrate. The first heavily doping region is disposed in the first well. The field oxide is arranged on the first well and adjacent to the first heavily doping region. The first dielectric layer is disposed on the field oxide and covers the field oxide. The conductive layer is arranged on the first dielectric layer. The first well and the first heavily doping region are provided with first doping forms.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
0/0