发明授权
- 专利标题: 一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路
-
申请号: CN201510351874.6申请日: 2015-06-24
-
公开(公告)号: CN104917467B公开(公告)日: 2017-08-25
- 发明人: 沈美根 , 陈强 , 郑立荣 , 肖清 , 李贺 , 关晓龙
- 申请人: 江苏博普电子科技有限责任公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市高浪东路999号
- 专利权人: 江苏博普电子科技有限责任公司
- 当前专利权人: 江苏博普电子科技有限责任公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市高浪东路999号
- 代理机构: 南京纵横知识产权代理有限公司
- 代理商 耿英; 董建林
- 主分类号: H03F1/02
- IPC分类号: H03F1/02 ; H03F1/52 ; H03F3/20
摘要:
本发明公开了一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路,调制信号及其经反相器后的反相信号同时输入逻辑电路,经延时后,输出高端NMOS驱动器输入信号和低端NMOS驱动器输入信号;高端NMOS驱动器输入信号和低端NMOS驱动器输入信号分别输入至高端NMOS驱动器和低端NMOS管驱动器中,高端NMOS驱动器和低端NMOS管驱动器的输出端分别连接至高端NMOS管和低端NMOS管的栅极;高端NMOS管的源极作为GaN 微波脉冲功率放大器的漏极电压端。本发明的电路避免了GaN微波脉冲功率放大器漏极电压端放电速度慢而产生拖尾现象,降低调制信号到漏极电压端的上升沿和下降沿延时时间,降低了漏极电压端的过冲电压幅度。
公开/授权文献
- CN104917467A 一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路 公开/授权日:2015-09-16
IPC分类: