一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路

    公开(公告)号:CN104917467B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201510351874.6

    申请日:2015-06-24

    IPC分类号: H03F1/02 H03F1/52 H03F3/20

    摘要: 本发明公开了一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路,调制信号及其经反相器后的反相信号同时输入逻辑电路,经延时后,输出高端NMOS驱动器输入信号和低端NMOS驱动器输入信号;高端NMOS驱动器输入信号和低端NMOS驱动器输入信号分别输入至高端NMOS驱动器和低端NMOS管驱动器中,高端NMOS驱动器和低端NMOS管驱动器的输出端分别连接至高端NMOS管和低端NMOS管的栅极;高端NMOS管的源极作为GaN 微波脉冲功率放大器的漏极电压端。本发明的电路避免了GaN微波脉冲功率放大器漏极电压端放电速度慢而产生拖尾现象,降低调制信号到漏极电压端的上升沿和下降沿延时时间,降低了漏极电压端的过冲电压幅度。

    GaN微波功率器件直流老化系统的实时电流监测电路

    公开(公告)号:CN105510697A

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201610003315.0

    申请日:2016-01-06

    IPC分类号: G01R19/25

    CPC分类号: G01R19/2516

    摘要: 本发明公开了一种GaN微波功率器件直流老化系统的实时电流监测电路,包括MCU、译码器、多路选择器、ADC、DAC、栅极驱动功率放大器和采样电阻;多路并列的被测GaN微波功率器件,每路被测GaN微波功率器件栅极均与一栅极驱动功率放大器的输出端连接,每路栅极驱动功率放大器的输入端均对应地与一路DAC的信号输出端连接,每路DAC的信号输入端连接至MCU,每路DAC的片选信号端均连接至译码器,译码器由MCU控制工作;每路被测GaN微波功率器件的漏极电流分别经多路选择器对应的一路采集至MCU中。本电路能达到每路的被测器件漏极电流一致,大大减少了调试工作量,提高了工作效率。

    一种用于微波功率放大器的测试夹具

    公开(公告)号:CN105445508A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201610005766.8

    申请日:2016-01-06

    IPC分类号: G01R1/04

    CPC分类号: G01R1/0425

    摘要: 本发明公开了一种用于微波功率放大器的测试夹具,包括底座、调节压片和夹持块;底座的一端具有一凸出于底座上表面的定位挡墙,与定位挡墙相对的底座的另一端上表面安装一可滑动的夹持块;由夹持块与定位挡墙将微波功率放大器载片的两侧夹持;载片的另外两侧的底座的上表面上设置有多个螺孔,与调节压片上设置的长槽相配合,通过连接件穿过对应的同侧的调节压片的长槽和底座上表面的螺孔,将调节压片固定到底座上表面,使载片的另外两侧分别由一调节压片进行夹持固定。本发明的用于微波功率放大器的测试夹具,可以根据微波功率放大器的大小进行调节,适用于各种尺寸和规格的小型化的微波功率放大器的夹持测试,调节方便快捷,不损伤载片。

    一种验证C波段GaN微波功率器件用测试板性能的装置

    公开(公告)号:CN104375028A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201410625958.X

    申请日:2014-11-07

    IPC分类号: G01R31/00

    摘要: 本发明公开了一种验证C波段GaN微波功率器件用测试板性能的装置,其特征是,包括散热底座、测试板和测试器件;所述测试板焊接在散热底座上;所述测试板的输入端和输出端均采用焊接方式,并采用螺丝钉固定接地;所述测试板上焊接有无源元器件。本发明所达到的有益效果:散热底座采用铜底座可以增强电特性和散热特性。测试板和散热底座采用焊接的方式连接,有利于C波段频率下的接地性能。测试器件采用RF2417SPC-E封装,该器件的封装形式和C波段GaN微波功率器件采用了同一种封装形式,从而可以尽量的减小因为封装不同而在匹配上带来的误差。整个装置结构简单,且尽量避免了一切外界因素的干扰,提高了检测的准确度,且成本低,操作起来简易。

    一种适用于C波段GaN微波大功率器件的宽带匹配电路

    公开(公告)号:CN104377416A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201410621951.0

    申请日:2014-11-07

    IPC分类号: H01P5/00

    摘要: 本发明公开了一种适用于C波段的GaN微波大功率器件宽带匹配电路,其特征是,包括封装管壳、输入端宽带匹配电路、输出端宽带匹配电路以及GaN芯片;所述宽带匹配电路分为两级,第一级为T型匹配网络,第二级为四路功率分配器网络;所述功率分配器同时完成功率分配和阻抗匹配功能;所述功率分配器输出端采用隔离电阻。本发明匹配网络采用二级匹配网络,增加了器件的带宽。四路功率分配器输出端各金丝键合点的相位不一致性控制在5度以内,保证了器件整体的输出功率和合成效率。传输线比较宽,没有电迁移现象,不会出现长期可靠性问题。此外,在功率分配器的输出端口采用隔离电阻,增加器件各个端口的隔离度和回波损耗,防止器件发生奇模振荡。

    GaN微波功率器件直流老化系统的实时电流监测电路

    公开(公告)号:CN105510697B

    公开(公告)日:2018-04-20

    申请号:CN201610003315.0

    申请日:2016-01-06

    IPC分类号: G01R19/25

    摘要: 本发明公开了一种GaN微波功率器件直流老化系统的实时电流监测电路,包括MCU、译码器、多路选择器、ADC、DAC、栅极驱动功率放大器和采样电阻;多路并列的被测GaN微波功率器件,每路被测GaN微波功率器件栅极均与一栅极驱动功率放大器的输出端连接,每路栅极驱动功率放大器的输入端均对应地与一路DAC的信号输出端连接,每路DAC的信号输入端连接至MCU,每路DAC的片选信号端均连接至译码器,译码器由MCU控制工作;每路被测GaN微波功率器件的漏极电流分别经多路选择器对应的一路采集至MCU中。本电路能达到每路的被测器件漏极电流一致,大大减少了调试工作量,提高了工作效率。

    一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路

    公开(公告)号:CN104917467A

    公开(公告)日:2015-09-16

    申请号:CN201510351874.6

    申请日:2015-06-24

    IPC分类号: H03F1/02 H03F1/52 H03F3/20

    摘要: 本发明公开了一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路,调制信号及其经反相器后的反相信号同时输入逻辑电路,经延时后,输出高端NMOS驱动器输入信号和低端NMOS驱动器输入信号;高端NMOS驱动器输入信号和低端NMOS驱动器输入信号分别输入至高端NMOS驱动器和低端NMOS管驱动器中,高端NMOS驱动器和低端NMOS管驱动器的输出端分别连接至高端NMOS管和低端NMOS管的栅极;高端NMOS管的源极作为GaN微波脉冲功率放大器的漏极电压端。本发明的电路避免了GaN微波脉冲功率放大器漏极电压端放电速度慢而产生拖尾现象,降低调制信号到漏极电压端的上升沿和下降沿延时时间,降低了漏极电压端的过冲电压幅度。

    一种远程监控微波功率器件长期可靠性测试系统

    公开(公告)号:CN104374424A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201410623373.4

    申请日:2014-11-07

    IPC分类号: G01D21/02 G01R31/00

    摘要: 本发明公开了一种远程监控微波功率器件长期可靠性测试系统,其特征是,包括检测模块、数据采集分析模块和电源系统;所述数据分析模块包括依次连接的数据采集器、控制器和数据处理模块;所述控制器和数据处理模块通过无线模块连接;所述数据采集器分别与被测装置和功率计相连接。本发明所达到的有益效果:本系统是一种加载射频功率及满功率输出,模拟实际工作状态进行长期可靠性测试系统方案。采用了可以采用远程监控的方式,大大地方便了检测人员,实时监控数据采集电路采集的偏置电压、功耗电流、微波输入输出功率、温度参数、故障告警等信息,并设置有故障告警模块,能够及时地提醒工作人员出现故障,采取合适的措施。

    一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路

    公开(公告)号:CN204633719U

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201520436419.1

    申请日:2015-06-24

    IPC分类号: H03F1/02 H03F1/52 H03F3/20

    摘要: 本实用新型公开了一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路,调制信号及其经反相器后的反相信号输入逻辑电路经延时后,输出高端NMOS驱动器输入信号和低端NMOS驱动器输入信号;高端NMOS驱动器输入信号和低端NMOS驱动器输入信号分别输入至高端NMOS驱动器和低端NMOS管驱动器中,高端NMOS驱动器和低端NMOS管驱动器的输出端分别连接至高端NMOS管和低端NMOS管的栅极;高端NMOS管的源极作为GaN 微波脉冲功率放大器的漏极电压端。本实用新型的电路避免了GaN微波脉冲功率放大器漏极电压端放电速度慢产生拖尾现象,降低调制信号到漏极电压端的上升沿和下降沿延时时间,降低了漏极电压端的过冲电压幅度。

    GaN微波功率器件直流老化系统的实时电流监测电路

    公开(公告)号:CN205333728U

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:CN201620005412.9

    申请日:2016-01-06

    IPC分类号: G01R19/25

    摘要: 本实用新型公开了一种GaN微波功率器件直流老化系统的实时电流监测电路,包括MCU、译码器、多路选择器、ADC、DAC、栅极驱动功率放大器和采样电阻;多路并列的被测GaN微波功率器件,每路被测GaN微波功率器件栅极均与一栅极驱动功率放大器的输出端连接,每路栅极驱动功率放大器的输入端均对应地与一路DAC的信号输出端连接,每路DAC的信号输入端连接至MCU,每路DAC的片选信号端均连接至译码器,译码器由MCU控制工作;每路被测GaN微波功率器件的漏极电流分别经多路选择器对应的一路采集至MCU中。本电路能达到每路的被测器件漏极电流一致,大大减少了调试工作量,提高了工作效率。