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公开(公告)号：CN106685370A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611225363.0
申请日：2016-12-27
申请人： 江苏博普电子科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种GaN微波功率放大器保护电路，包括负压及时序产生电路、比较器、与门、分压回路、漏极调制电路和运算放大器；负压及时序产生电路POK端连接与门一输入端；比较器的两个输入端连接GaN微波功率器件的栅极、分压回路输出电压端，输出端连接至与门的另一输入端；与门还一输入端连接漏极调制信号输入信号；与门的输出端连接至漏极调制电路，控制漏极调制电路的开关截止。本发明的电路确保氮化镓器件上电时先在栅极加负压稳定后，再在漏极加工作电压，在雷达发射射频信号脉冲期间进行漏极调制，关闭GaN漏极电压，降低雷达的静噪电平；当栅极电压异常时，漏极调制电路开关截止，GaN微波功率器件漏极电压为0V，避免GaN微波功率器件烧毁。
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公开(公告)号：CN103296072B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310255243.5
申请日：2013-06-25
申请人： 江苏博普电子科技有限责任公司
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本发明公开了一种提高了BVcbo（集电极-基极击穿电压）的双极型晶体管及其生产工艺，通过将沟槽场氧化隔离工艺技术与结终端工艺技术结合起来，并且将沟槽的场氧化过程分成两步，结终端硼离子注入安排在两步场氧化之间进行，不但可以得到合理的结终端硼的结深，而且简化了工艺流程，并且由于结终端离子注入窗口与沟槽边缘无需对准，因此在结终端与沟槽的交界处可以得到较为固定的掺杂硼浓度，以致可以得到稳定的BVcbo，使用该工艺技术方法生产的NPN硅双极型微波功率晶体管器件不但提高了BVcbo 20伏以上，能够提供高的输出功率，而且减小了集电结寄生电容，保证了器件的高频性能。
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公开(公告)号：CN105445508A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610005766.8
申请日：2016-01-06
申请人： 江苏博普电子科技有限责任公司
IPC分类号： G01R1/04
CPC分类号： G01R1/0425
摘要： 本发明公开了一种用于微波功率放大器的测试夹具，包括底座、调节压片和夹持块；底座的一端具有一凸出于底座上表面的定位挡墙，与定位挡墙相对的底座的另一端上表面安装一可滑动的夹持块；由夹持块与定位挡墙将微波功率放大器载片的两侧夹持；载片的另外两侧的底座的上表面上设置有多个螺孔，与调节压片上设置的长槽相配合，通过连接件穿过对应的同侧的调节压片的长槽和底座上表面的螺孔，将调节压片固定到底座上表面，使载片的另外两侧分别由一调节压片进行夹持固定。本发明的用于微波功率放大器的测试夹具，可以根据微波功率放大器的大小进行调节，适用于各种尺寸和规格的小型化的微波功率放大器的夹持测试，调节方便快捷，不损伤载片。
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公开(公告)号：CN103346085B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310273074.8
申请日：2013-07-02
申请人： 江苏博普电子科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种提高双极型晶体管BVcbo的生产工艺。本发明通过将沟槽场氧化隔离工艺技术与结终端工艺技术结合起来，首先在通过干法刻蚀工艺技术形成沟槽之后、在沟槽的场氧化进行之前，加一步离子注入工艺将P-型元素硼（B）离子预反掺杂到沟槽场区硅中，然后将沟槽的场氧化过程分成两步，结终端硼离子注入安排在两步场氧化之间进行，使用该工艺技术方法制造的NPN硅双极型微波功率晶体管器件不但提高了BVcbo击穿电压50%以上，能够提供高的输出功率，而且减小了集电结寄生电容，保证了器件的高频性能。
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公开(公告)号：CN103344851B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310251061.0
申请日：2013-06-24
申请人： 江苏博普电子科技有限责任公司
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明公开了一种用于GaN HEMT微波功率器件的脉冲直流测试系统和测试方法，通过矢量网络分析仪测试GaN HEMT微波功率器件的S参量或通过半导体分析仪测试GaN HEMT微波功率器件脉冲直流特性，分析仪的两个输出端分别通过一偏置器Bias Tee将脉冲射频信号加载到被测器件GaN HEMT的栅极和漏极；两路不同电压等级的直流电源通过两组开关分别加载在两个偏置器Bias Tee上。本发明的GaN HEMT微波功率器件的脉冲直流测试系统及测试方法，在对GaN HEMT微波功率器件测试时，采用脉冲直流电压，由两组开关电路控制施加在偏置器上的直流电源的导通，避免持续对GaN HEMT施加直流电压，造成GaN HEMT的自加热现象，导致恶化微波功率器件性能。
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公开(公告)号：CN104375028A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410625958.X
申请日：2014-11-07
申请人： 江苏博普电子科技有限责任公司
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明公开了一种验证C波段GaN微波功率器件用测试板性能的装置，其特征是，包括散热底座、测试板和测试器件；所述测试板焊接在散热底座上；所述测试板的输入端和输出端均采用焊接方式，并采用螺丝钉固定接地；所述测试板上焊接有无源元器件。本发明所达到的有益效果：散热底座采用铜底座可以增强电特性和散热特性。测试板和散热底座采用焊接的方式连接，有利于C波段频率下的接地性能。测试器件采用RF2417SPC-E封装,该器件的封装形式和C波段GaN微波功率器件采用了同一种封装形式，从而可以尽量的减小因为封装不同而在匹配上带来的误差。整个装置结构简单，且尽量避免了一切外界因素的干扰，提高了检测的准确度，且成本低，操作起来简易。
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公开(公告)号：CN104917467B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510351874.6
申请日：2015-06-24
申请人： 江苏博普电子科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路，调制信号及其经反相器后的反相信号同时输入逻辑电路，经延时后，输出高端NMOS驱动器输入信号和低端NMOS驱动器输入信号；高端NMOS驱动器输入信号和低端NMOS驱动器输入信号分别输入至高端NMOS驱动器和低端NMOS管驱动器中，高端NMOS驱动器和低端NMOS管驱动器的输出端分别连接至高端NMOS管和低端NMOS管的栅极；高端NMOS管的源极作为GaN 微波脉冲功率放大器的漏极电压端。本发明的电路避免了GaN微波脉冲功率放大器漏极电压端放电速度慢而产生拖尾现象，降低调制信号到漏极电压端的上升沿和下降沿延时时间，降低了漏极电压端的过冲电压幅度。
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公开(公告)号：CN105510697A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610003315.0
申请日：2016-01-06
申请人： 江苏博普电子科技有限责任公司
IPC分类号： G01R19/25
CPC分类号： G01R19/2516
摘要： 本发明公开了一种GaN微波功率器件直流老化系统的实时电流监测电路，包括MCU、译码器、多路选择器、ADC、DAC、栅极驱动功率放大器和采样电阻；多路并列的被测GaN微波功率器件，每路被测GaN微波功率器件栅极均与一栅极驱动功率放大器的输出端连接，每路栅极驱动功率放大器的输入端均对应地与一路DAC的信号输出端连接，每路DAC的信号输入端连接至MCU，每路DAC的片选信号端均连接至译码器，译码器由MCU控制工作；每路被测GaN微波功率器件的漏极电流分别经多路选择器对应的一路采集至MCU中。本电路能达到每路的被测器件漏极电流一致，大大减少了调试工作量，提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN104409820A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410738965.0
申请日：2014-12-08
申请人： 江苏博普电子科技有限责任公司
IPC分类号： H01P5/00
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公开了一种用于增加微波器件匹配电路中的键合线电感连接模型，用于连接两个待连接体，其特征是，包括垫片和两条键合线；所述垫片上设置有金属部件；每条所述键合线连接所述金属部件和一个待连接体。本发明所达到的有益效果：在单层电容（或芯片或器件引脚）之间，插入一垫片，并且按照下图的要求打键合线。这样，在实现同一电感值的情况下，两根键合线的长度均比原先方案中的键合线长度短。从而在需要长键合线的微波匹配网络设计中，降低了键合线工艺难度，增加了工艺可靠性，提高了键合线。
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公开(公告)号：CN103606554A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310571571.6
申请日：2013-11-13
申请人： 江苏博普电子科技有限责任公司
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/36 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/73 , H01L29/41708 , H01L29/66234
摘要： 本发明公开了一种提高了BVceo的双极型晶体管及其生产工艺，首先使用离子注入工艺将P-型元素硼离子预反掺杂到N-型外延硅的表面，然后在沟槽场氧化高温热过程中，预反掺杂的硼离子被推进扩散到晶体管的集电区中，导致在靠近晶体管基区的集电区中，由于部分N-型杂质被P-型杂质补偿，使得净杂质浓度降低、电阻率得到提高，而远离基区的集电区的电阻率基本不变，因此不但提高了晶体管的BVceo，而且晶体管的输出功率性能基本不变，亦即在使用低成本单层电阻率外延硅片时，能够达到较高成本双层电阻率外延硅片才能取得的效果，从而以较低的生产成本，达到晶体管器件的击穿电压与输出功率间更好的综合平衡。
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