发明授权
- 专利标题： 一种锗单晶片的单面研磨方法
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申请号： CN201510414595.X申请日： 2015-07-15
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公开(公告)号： CN105058223B公开(公告)日： 2017-08-25
- 发明人: 何远东 , 杨洪星 , 刘玉岭 , 赵权 , 武永超 , 韩焕鹏 , 陈晨
- 申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 申请人地址： 天津市河西区洞庭路26号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 当前专利权人地址： 天津市河西区洞庭路26号
- 代理机构： 天津中环专利商标代理有限公司
- 代理商 胡京生
- 主分类号： B24B37/10
- IPC分类号： B24B37/10 ; B24B37/04 ; B24B37/30 ; B24B27/00 ; H01L21/02
摘要：
本发明涉及一种锗单晶片的单面研磨方法，包括粘蜡、减薄、解离、去蜡步骤，首先通过粘蜡的方法获得直径、莫氏强度都大于锗单晶片的载片与锗单晶片粘合在一起的双层结构的复合片；通过研磨的方式减薄获得一定厚度的双层结构复合片；通过加热的方法进行载片与锗单晶片的解离；然后对锗单晶研磨片进行去蜡处理即可得到所需厚度的锗单晶片。有益效果是锗单晶片表面质量优异，实时测量、控制研磨去除量，减少了晶片崩边和裂纹的产生，降低了生产成本。
公开/授权文献
- CN105058223A 一种锗单晶片的单面研磨方法 公开/授权日：2015-11-18
