一种硝酸钠单晶的提拉法生长工艺
摘要:
本发明涉及一种硝酸钠单晶的提拉法生长工艺,包括以下步骤:将原料硝酸钠于100~200℃烘干2~5小时后,装入坩埚中;将装料后的坩埚置于提拉炉中,经2~5小时将炉温升至350~450℃,并保温1~2h,使坩埚中的硝酸钠原料全部熔化,缓慢降低加热功率,当控制炉温为250~350℃时,将籽晶浸到熔体中,旋转籽晶并向上提拉,开始晶体生长,提拉速率为1.0~10mm/h,旋转速率为10~20r/min,固液界面的温度梯度为10~30℃/cm;根据晶体生长趋势,微量调整加热功率,完成放肩和等径过程,生长完毕,提出晶体使之脱离熔体,以20~50℃/h的降温速率使炉体冷却至室温并取出晶体。本发明晶体的热应力小,可减少晶体开裂。
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