发明公开
CN105063753A 一种硝酸钠单晶的提拉法生长工艺
无效 - 驳回
- 专利标题: 一种硝酸钠单晶的提拉法生长工艺
- 专利标题(英): Czochralski method growth process of sodium nitrate monocrystalline
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申请号: CN201510541293.9申请日: 2015-08-28
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公开(公告)号: CN105063753A公开(公告)日: 2015-11-18
- 发明人: 陈良 , 熊巍 , 周尧 , 袁晖
- 申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址: 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址: 上海市长宁区定西路1295号
- 代理机构: 上海瀚桥专利代理事务所
- 代理商 曹芳玲; 郑优丽
- 主分类号: C30B29/22
- IPC分类号: C30B29/22 ; C30B15/00
摘要:
本发明涉及一种硝酸钠单晶的提拉法生长工艺,包括以下步骤:将原料硝酸钠于100~200℃烘干2~5小时后,装入坩埚中;将装料后的坩埚置于提拉炉中,经2~5小时将炉温升至350~450℃,并保温1~2h,使坩埚中的硝酸钠原料全部熔化,缓慢降低加热功率,当控制炉温为250~350℃时,将籽晶浸到熔体中,旋转籽晶并向上提拉,开始晶体生长,提拉速率为1.0~10mm/h,旋转速率为10~20r/min,固液界面的温度梯度为10~30℃/cm;根据晶体生长趋势,微量调整加热功率,完成放肩和等径过程,生长完毕,提出晶体使之脱离熔体,以20~50℃/h的降温速率使炉体冷却至室温并取出晶体。本发明晶体的热应力小,可减少晶体开裂。
IPC分类: