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公开(公告)号：CN110004493A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910129108.3
申请日：2019-02-21
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种钨酸镧（钆）钠晶体的生长方法，所述钨酸镧（钆）钠晶体为钨酸镧钠晶体或钨酸钆钠晶体，所述方法包括：将晶体原料和籽晶装入坩埚并封闭后，升温至1250～1350℃，待晶体原料全部熔化后，开始晶体的生长，其中，坩埚的下降速率0.3～0.8 mm/h，生长界面的温度梯度为40～70℃/cm；生长结束后，自然冷却至室温，得到所述钨酸镧（钆）钠晶体。
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公开(公告)号：CN104562205A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510044104.7
申请日：2015-01-28
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种阴阳离子共掺杂的硅酸铋闪烁晶体及其制备方法，所述硅酸铋闪烁晶体掺杂有F-和Ba2+。F-离子和Ba2+离子的掺入，在一定程度上补偿了晶体内部局域电荷的不平衡；并且，F可打断硅氧四面体间桥氧并置换桥氧而进入BSO熔体，可减小硅氧集团层间的束缚力，从而降低BSO熔体粘度并减少宏观缺陷。
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公开(公告)号：CN112441617A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910804465.5
申请日：2019-08-28
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
IPC分类号： C01G39/00
摘要： 本发明涉及一种钼酸锂粉体的制备方法，所述钼酸锂粉体的化学式为Li2MoO4，该制备方法包括：（1）按照钼酸锂的化学计量比称取Li2CO3粉末和MoO3粉末作为原料粉体，并量取适量去离子水；（2）将Li2CO3粉末、MoO3粉末和去离子水混合，得到悬浊液；（3）将所得悬浊液加热至40～99℃，直至悬浊液澄清且不再产生气泡，得到透明溶液；（4）将所得透明溶液经过滤后，再经加热蒸干，得到所述钼酸锂粉体。
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公开(公告)号：CN111485279A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010401479.5
申请日：2020-05-13
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
摘要： 本发明公开一种水溶液法低温制备钼酸锂晶体的方法。所述方法包括：将钼酸锂原料溶解于水中，形成钼酸锂饱和溶液；向该饱和溶液中放入钼酸锂晶种；加热所述放入晶种后的饱和溶液，使其保持恒温并稳定蒸发；一段时间后，从所述钼酸锂饱和溶液中提出晶种，烘干得到钼酸锂晶体。
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公开(公告)号：CN110295394A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201810245279.8
申请日：2018-03-23
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
摘要： 本发明提供一种硅酸铋闪烁晶体的旋转下降法生长工艺，采用坩埚下降法生长硅酸铋晶体，在坩埚下降的同时使坩埚水平旋转。
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公开(公告)号：CN106757306B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201611219133.3
申请日：2016-12-26
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及用于制备大截面钨酸铅晶体的坩埚及晶体生长方法，所述坩埚包括用于放置籽晶的籽晶段、以及位于所述籽晶段之后交替排列的放肩段和等径段，所述坩埚的放肩段数≥2、且等径段的直径依次递增。本发明所述坩埚采用多次放肩段和等径段交替设计，使各放肩段生长过程中产生的缺陷和热应力在等径段得到充分消除和减小，避免了一次放肩生长中因缺陷和应力的持续累积所导致的开裂，从而得以制备出完整的晶体。
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公开(公告)号：CN101935879B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010274494.4
申请日：2010-09-07
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种Yb3+/Bi3+双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法，属于光学晶体领域。本发明利用Yb3+离子的敏化作用，通过Yb3+—Bin+(n＝0，1，2)之间的能量传递作用，使PWO晶体中Bi离子产生多波段近红外发光。本发明提供的制备方法以高纯Bi2O3、Yb2O3粉料掺入钨酸铅多晶料锭中，采用提拉法及坩埚下降法制备了Yb3+/Bi3+双掺杂钨酸铅晶体，所得晶体中Bi3+的掺杂量为0.1～2.0(at％)，Yb3+的掺杂量为0.3～4.0(at％)。
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公开(公告)号：CN107268086A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201610210944.0
申请日：2016-04-06
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种提高硅酸铋闪烁晶体近紫外波段透过率的方法，所述方法包括将硅酸铋闪烁晶体在高纯氮气气氛中于600～800℃进行热处理6～20小时以使硅酸铋闪烁晶体中的氧杂质扩散出来从而提高硅酸铋闪烁晶体在近紫外波段透过率。本发明通过在特定的气氛、温度条件下对硅酸铋晶体进行高纯氮气气氛下高温热处理，提高晶体近紫外波段（300～400nm）的透过率，从而更易于切伦科夫光和闪烁光的分离，更加有利于硅酸铋晶体在双读出量能器领域的应用。
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公开(公告)号：CN104562205B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510044104.7
申请日：2015-01-28
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种阴阳离子共掺杂的硅酸铋闪烁晶体及其制备方法，所述硅酸铋闪烁晶体掺杂有F‑和Ba2+。F‑离子和Ba2+离子的掺入，在一定程度上补偿了晶体内部局域电荷的不平衡；并且，F可打断硅氧四面体间桥氧并置换桥氧而进入BSO熔体，可减小硅氧集团层间的束缚力，从而降低BSO熔体粘度并减少宏观缺陷。
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公开(公告)号：CN105063753A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510541293.9
申请日：2015-08-28
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种硝酸钠单晶的提拉法生长工艺，包括以下步骤：将原料硝酸钠于100～200℃烘干2～5小时后，装入坩埚中；将装料后的坩埚置于提拉炉中，经2～5小时将炉温升至350～450℃，并保温1～2h，使坩埚中的硝酸钠原料全部熔化，缓慢降低加热功率，当控制炉温为250～350℃时，将籽晶浸到熔体中，旋转籽晶并向上提拉，开始晶体生长，提拉速率为1.0～10mm/h，旋转速率为10～20r/min，固液界面的温度梯度为10～30℃/cm；根据晶体生长趋势，微量调整加热功率，完成放肩和等径过程，生长完毕，提出晶体使之脱离熔体，以20～50℃/h的降温速率使炉体冷却至室温并取出晶体。本发明晶体的热应力小，可减少晶体开裂。
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