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Invention Grant
CN105074933B 碳化硅半导体器件及其制造方法 有权

碳化硅半导体器件及其制造方法
Abstract:
沟槽(TR)具有分别由第一至第三半导体层(121至123)构成的第一至第三侧表面(SW1至SW3)。在第一绝缘膜(210)中包括的第一侧壁部(201S)具有分别位于第一至第三侧表面(SW1至SW3)上的第一至第三区域(201a至201c)。第二绝缘膜(202)具有位于第一侧壁部(201S)上的第二侧壁部(202S)。第二侧壁部(202S)具有一端(E1)和另一端(E2)，一端(E1)连接到第二绝缘膜的第二底部(202S)，另一端(E2)位于第一区域(201a)或第二区域(201b)中的一个上，且距第三区域(201c)一定距离。因此，可以使得栅电极电容小。
Abstract(English):

A trench has first to third side surfaces respectively constituted of first to third semiconductor layers. A first side wall portion included in a first insulating film has first to third regions respectively located on the first to third side surfaces. A second insulating film has a second side wall portion located on the first side wall portion. The second side wall portion has one end and the other end, the one end being connected to the second bottom portion of the second insulating film, the other end being located on one of the first and second regions, the other end being separated from the third region.

Public/Granted literature
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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