- 专利标题: 具有多量子阱和非对称P-N结的发光二极管
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申请号: CN201480018902.6申请日: 2014-03-25
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公开(公告)号: CN105122474B公开(公告)日: 2018-02-09
- 发明人: 伊凡-克里斯托夫·罗宾 , 休伯特·波诺
- 申请人: 原子能和替代能源委员会
- 申请人地址: 法国巴黎
- 专利权人: 原子能和替代能源委员会
- 当前专利权人: 原子能和替代能源委员会
- 当前专利权人地址: 法国巴黎
- 代理机构: 北京派特恩知识产权代理有限公司
- 代理商 徐川; 武晨燕
- 优先权: 1352839 2013.03.28 FR
- 国际申请: PCT/EP2014/055964 2014.03.25
- 国际公布: WO2014/154690 FR 2014.10.02
- 进入国家日期: 2015-09-28
- 主分类号: H01L33/06
- IPC分类号: H01L33/06 ; H01L33/14
摘要:
一种发光二极管(100),包括:能够形成阴极的第一n掺杂半导体层(102)和能够形成阳极的第二p掺杂半导体层(104),并且第一层和第二层一起形成二极管的p‑n结;位于第一层与第二层之间的活性区(105),该活性区(105)包括包含有半导体并且能够形成量子阱的至少两个发光层(106)和多个半导体阻挡层(108),使得每个发光层位于两个阻挡层之间;以及位于第一层与活性区之间的n掺杂半导体缓冲层(110),缓冲层的所述n掺杂半导体具有小于或者等于第二层的p掺杂半导体的带隙能量的大约97%的带隙能量。
公开/授权文献
- CN105122474A 具有多量子阱和非对称P-N结的发光二极管 公开/授权日:2015-12-02