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公开(公告)号：CN111356650B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201880056255.6
申请日：2018-08-23
申请人： 纳瓦科技公司 , 原子能和替代能源委员会 , 国立图尔大学
摘要： 一种包括位于基底上的垂直排列碳纳米管(VACNT)的复合材料，其特征在于，所述复合材料包括沉积于纳米管的外表面上的额外无序碳。该额外碳不是无定形的，而是包括石墨区域。可在催化剂的存在下，在常压下通过CVD法在金属基底上制备该复合材料。该复合材料可用作诸如超级电容器之类的电子和电工装置中的电极。
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公开(公告)号：CN118276213A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311851454.5
申请日：2023-12-29
申请人： 原子能和替代能源委员会
发明人： 克里斯多夫·马丁内斯
摘要： 本发明涉及一种用于将图像投射到眼睛上的设备，所述设备包括：‑光发射器，被配置为沿着各个相应的发射轴线发射光波；‑光学组合器，所述光学组合器光学耦合到所述光发射器，并且被配置为从由所述光发射器发射的每个光波形成传播到所述眼睛的瞳孔的准直光波；所述设备的特征在于：‑所述光发射器包括屏幕，所述屏幕包括各个像素，每个像素被配置为发射围绕发射轴线传播的发散光波，各个像素分别发射沿着各个发射轴线传播的相应的发散光波；光学组合器被配置为接收由像素发射的每个光波，并形成朝向对应于眼睛的瞳孔中心的中央位置传播的准直光波。
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公开(公告)号：CN114555587B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202080071452.2
申请日：2020-10-12
申请人： 国家科学研究中心 , 卡昂大学 , 国立健康与医学研究所 , 阿尔卑斯格勒诺布尔大学 , 原子能和替代能源委员会
发明人： 洛朗斯·拉法内谢尔 , 雷诺·普吕当 , 洛拉利·佩罗内 , 马克·比约 , 奥德蕾·韦尔内 , 埃里克·德纳里耶 , 帕特里克·达勒马涅 , 西尔万·罗 , 佩姬·苏珊 , 让-夏尔·朗瑟洛 , 塞尔日·佩拉托 , 奥雷利安·莱斯纳尔
IPC分类号： C07D403/04 , A61P35/00 , A61P25/28 , A61P25/18 , A61P9/00 , A61P19/00 , A61K31/403
摘要： 本发明涉及式(I)化合物，式(I)中，R、R1和R2独立地选自由以下组成的组：‑氢原子，‑卤原子，‑包含1～10个碳原子的直链、环状或支链的、饱和或不饱和的、可以被取代的烷基，‑包含1～10个碳原子的酰基，‑羧基，‑包含1～10个碳原子的酰氨基，和‑亚氨基，可以被直链、环状或支链的、饱和或不饱和的烷基取代，以及，R3、R4、R5和R6独立地选自由以下组成的组：‑氢原子，‑卤原子，‑羟基，‑包含1～10个碳原子的直链、环状或支链的、饱和或不饱和的、可以被取代的烷基，‑包含1～10个碳原子的烷氧基，‑包含1～10个碳原子的酰基，‑1～10个碳原子的碳酸酯基，‑羧基，和‑氰基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118215924A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280066757.3
申请日：2022-09-30
申请人： 法国国家科学研究中心 , 格勒诺布尔大学 , 原子能和替代能源委员会 , 格勒诺布尔综合理工学院 , 达妮埃尔·平纳
摘要： 装置(1)包括预处理级(10)、物质系统(20)和识别级(30)，其特征在于：预处理级(10)将感兴趣的信号(S0)转换为激励信号(Sext)；所述物质系统(20)包括磁性介质(50)，其被细分为处于第一磁性状态或第二磁性状态的多个区域(51)，激励模块(26)根据激励信号(Sext)生成适于使磁性介质(50)中的磁畴壁(56)移位的物理激励量，读取模块(62)，其测量磁性介质(50)达到的最终磁性配置；以及识别级(30)根据最终磁性配置确定感兴趣的信号(S0)所属的类别(Ci)。
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公开(公告)号：CN117954513A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311429507.4
申请日：2023-10-30
申请人： 原子能和替代能源委员会
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L27/146
摘要： 本发明涉及适于通过外延制造InGaN基二极管阵列的生长衬底及其制造方法，其包括由GaN基晶体材料制成的台面M(i)，每个台面包括由无孔材料制成的中间绝缘层(14)成对隔开的N个掺杂层(13、15)，其中N≥2，并且每个台面具有适于通过外延制造阵列的二极管的自由上表面；该台面根据至少三种不同类别来配置，包括：其中N个掺杂层(13、15)是多孔的被称为M(N)的台面类别，其中掺杂层(13、15)都不是多孔的被称为M(0)的台面类别，以及其中n个掺杂层(13、15)是多孔的被称为M(n)的台面类别，其中1≤n
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公开(公告)号：CN112951947B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202011351414.0
申请日：2020-11-26
申请人： 原子能和替代能源委员会
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/115 , H01L31/0203 , H01L23/26
摘要： 本发明涉及一种用于制造检测装置1的方法，包括以下步骤：形成堆叠件10，其包括热检测器20、矿物牺牲层15以及具有横向凹口4的薄封装层16；形成堆叠件30，其包括薄支撑层33、吸气剂部分34以及薄保护层35；将薄支撑层33与薄封装层16直接键合，使得吸气剂部分34位于横向凹口4中；形成进出口17，并且去除矿物牺牲层15和薄保护层35；沉积薄密封层5，阻塞进出口17。
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公开(公告)号：CN111245364B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201911180385.3
申请日：2019-11-27
申请人： 原子能和替代能源委员会
IPC分类号： H02S50/10
摘要： 本发明涉及一种用于确定电气系统(1)的校正的电流‑电压曲线(I*‑V)的方法，所述方法包括以下步骤：通过以第一测量速率改变其端子之间的电压，获得所述电气系统的第一电流‑电压特性曲线(IA‑VA)，通过以不同于所述第一测量速率的第二测量速率改变其端子之间的电压，获得所述电气系统的第二电流‑电压特性曲线(IR‑VR)，使用单个名义电容(C)在没有待校正的固有杂散效应的输入电压(V1)和所述输出电压(V2)之间对所述待校正的固有杂散效应进行建模，确定代表所述杂散效应的校正值以及基于所确定的校正值来确定校正的电流值。
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公开(公告)号：CN111448666B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201880059759.3
申请日：2018-09-11
申请人： 原子能和替代能源委员会
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/16 , H01L29/24 , H01L21/336 , G01N27/414
摘要： 晶体管的生成，该晶体管的沟道结构包括至少一个带鳍的沟道结构，方法包括：‑从衬底(1)形成模制块(3)，‑在模制块上形成细层(7)，该细层从给定的半导体或半金属材料制成并由二维晶体的一个至十个原子或分子单层构成，‑移除模制块，同时保留细层的在模制块的侧面上延伸的部分(7a)，所述保留的部分(7a)形成鳍，该鳍能够形成晶体管的沟道结构，‑在所述鳍处生成覆盖的栅电极。
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公开(公告)号：CN117426157A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202280036169.5
申请日：2022-05-17
申请人： 法国国家科学研究中心 , 巴黎-萨克雷大学 , 原子能和替代能源委员会
摘要： 一种用于制造非对称SOT‑MRAM存储元单元的方法(50)，所述存储元单元包括导体轨道和焊盘，所述焊盘布置在所述导体轨道上并且包括具有自由磁化的至少一个第一磁性区域，其特征在于，所述方法包括以下步骤：制造(100)多个延伸层的堆叠，所述多个延伸层包括至少一个第一延伸磁性层；在所述堆叠的上表面上沉积(200)掩模；以及通过对承载掩模的堆叠的上表面进行离子辐照，在第一延伸磁性层中限定(400、500)第一磁性区域，离子辐照的参数适于修改形成第一磁性层的材料的磁特性。
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公开(公告)号：CN117280886A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202180083726.4
申请日：2021-10-25
申请人： 原子能和替代能源委员会 , 三阳有限责任公司
IPC分类号： H10K30/57
摘要： 本发明涉及一种串联光伏器件，该串联光伏器件以如下层叠顺序包括：A/硅基子电池A，特别是硅异质结子电池或隧穿氧化物钝化接触TOPCon架构子电池；以及B/钙钛矿基子电池B，该钙钛矿基子电池至少包括：‑N型导电层或半导体层(ETL)；‑P型导电层或半导体层(HTL)；以及‑钙钛矿型活性层，该钙钛矿型活性层插入在所述N型导电层或半导体层与所述P型导电层或半导体层之间，其中，所述N型导电层或半导体层基于N型金属氧化物的单独化纳米颗粒，并且具有低于或等于20％的原子碳含量。
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