发明授权
- 专利标题: 晶片级换能器涂覆和方法
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申请号: CN201480014925.X申请日: 2014-03-14
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公开(公告)号: CN105122488B公开(公告)日: 2018-01-26
- 发明人: P·D·科尔
- 申请人: 火山公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚
- 专利权人: 火山公司
- 当前专利权人: 飞利浦影像引导治疗公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 李光颖; 王英
- 优先权: 61/781,159 2013.03.14 US
- 国际申请: PCT/US2014/028552 2014.03.14
- 国际公布: WO2014/152987 EN 2014.09.25
- 进入国家日期: 2015-09-14
- 主分类号: H01L41/23
- IPC分类号: H01L41/23 ; H01L41/332
摘要:
一种制造微型超声换能器的方法包括接收晶片,在所述晶片上形成多个微型超声换能器。微型超声换能器的每个包括:换能器膜,其含有压电材料;以及第一接合盘和第二接合盘,每个被电耦合到换能器膜。从晶片的前侧在多个微型超声换能器上共形地沉积保护层。执行第一蚀刻过程以形成从前侧延伸到晶片中的多个第一沟槽。第一沟槽被蚀刻通过保护层。第一沟槽被设置在相邻的微型超声换能器之间。执行第二蚀刻过程以去除保护层的设置在第一接合盘和第二接合盘上的部分,由此暴露出第一接合盘和第二接合盘。
公开/授权文献
- CN105122488A 晶片级换能器涂覆和方法 公开/授权日:2015-12-02
IPC分类: