发明授权
- 专利标题: 一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置
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申请号: CN201510557112.1申请日: 2015-09-02
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公开(公告)号: CN105183978B公开(公告)日: 2019-01-01
- 发明人: 陈燕宁 , 赵东艳 , 张海峰 , 付振 , 李伯海 , 金文德
- 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力公司
- 申请人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,国家电网公司,国网信息通信产业集团有限公司,国网浙江省电力公司
- 当前专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,国家电网有限公司国网信息通信产业集团有限公司国网浙江省电力有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 代理机构: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司
- 代理商 王正茂; 俞佳
- 主分类号: G06F17/50
- IPC分类号: G06F17/50
摘要:
本发明公开了一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置,其中,该方法包括:根据确定的芯片功能划分功能模块,并根据所述功能模块的需求进行网表设计;根据BSIM器件模型对所述网表进行前仿真,当前仿真结果满足所述功能模块的需求时,进行版图绘制;在版图绘制完成后,提取布线后的寄生的电容和电阻,根据BSIM器件模型对提取后的网表进行后仿真;当后仿真结果满足所述功能模块的需求时,根据预先建立的老化BSIM器件模型再次进行仿真;当再次仿真结果满足所述功能模块的需求时,则进行制版流片。本发明的芯片设计阶段可靠性评估方法和装置,与传统的开发流程相比,可以缩小产品的开发周期,减少修改光刻板的次数,进而降低开发成本。
公开/授权文献
- CN105183978A 一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置 公开/授权日:2015-12-23