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公开(公告)号：CN105183978B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201510557112.1
申请日：2015-09-02
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置，其中，该方法包括：根据确定的芯片功能划分功能模块，并根据所述功能模块的需求进行网表设计；根据BSIM器件模型对所述网表进行前仿真，当前仿真结果满足所述功能模块的需求时，进行版图绘制；在版图绘制完成后，提取布线后的寄生的电容和电阻，根据BSIM器件模型对提取后的网表进行后仿真；当后仿真结果满足所述功能模块的需求时，根据预先建立的老化BSIM器件模型再次进行仿真；当再次仿真结果满足所述功能模块的需求时，则进行制版流片。本发明的芯片设计阶段可靠性评估方法和装置，与传统的开发流程相比，可以缩小产品的开发周期，减少修改光刻板的次数，进而降低开发成本。
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公开(公告)号：CN107170663A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201610121476.X
申请日：2016-03-03
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力公司
摘要： 本发明公开了一种从封装体取出芯片的方法，包括：去除封装体的密封盖板，封装体的底部设有封装框架，且封装框架上通过粘片胶设有芯片，密封盖板设置于封装体的上部；向封装体内注入树脂并固化，对封装体进行塑封并形成铸件；对塑封后的铸件的底部进行研磨处理，去除封装体底部的封装框架；在预设温度范围内对研磨后的铸件进行加热处理，挖取出芯片；对挖取出的芯片进行强酸漂洗，预设时间后取出漂洗后的芯片。该方法不必加热到太高温度，就能从封装体中取出芯片；而且酸处理时间较短，不会腐蚀焊盘，可完好地取出芯片，芯片还可进行二次封装。
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公开(公告)号：CN108922861A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810456357.9
申请日：2018-05-14
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网河北省电力有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法。该集成电路修补装置包括红外成像定位单元和集成电路修补单元。红外成像定位单元用于对被测的集成电路进行失效点定位。集成电路修补单元用于对所述失效点进行电路修补。所述基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法能够对集成电路无损伤地进行失效点的快速精准定位且能够观察到集成电路的内部结构，提高失效定位成功率以及修补效率。
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公开(公告)号：CN107491133B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201710805315.7
申请日：2017-09-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种带隙基准电压源，包括：电平转换电路、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻和钳位电路；电平转换电路用于根据输入端输入的电压在第一端和第二端产生相同的一阶正温度系数的电压。该带隙基准电压源通过对MP1和MP2的漏极引入相同正温度系数电压，并利用MP1和MP2本身具有的沟道长度调制效应，来消除或减小二阶温度系数，从而实现二阶温度系数补偿。
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公开(公告)号：CN108038520A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711133893.7
申请日：2017-11-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
摘要： 本发明涉及一种安全芯片的读写器，包括：主控芯片、读写器芯片、安全模块以及通信模块；主控芯片用于接收上位机发送的指令，对接收到的指令进行解析，将解析后的数据发送至安全模块；安全模块对接收到的解析后的数据进行加密，并将加密后的数据传输至主控芯片；主控芯片将加密后的数据以及上位机发送的指令传输至读写器芯片；读写器芯片根据加密后的数据以及上位机发送的指令，生成读或写操作指令，并通过通信模块向安全芯片发送读或写操作指令。本发明提供的安全芯片的读写器，可以实现对操作指令的加密，以提高安全芯片的安全性能。
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公开(公告)号：CN107491133A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710805315.7
申请日：2017-09-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G05F1/567
CPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种带隙基准电压源，包括：电平转换电路、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻和钳位电路；电平转换电路用于根据输入端输入的电压在第一端和第二端产生相同的一阶正温度系数的电压。该带隙基准电压源通过对MP1和MP2的漏极引入相同正温度系数电压，并利用MP1和MP2本身具有的沟道长度调制效应，来消除或减小二阶温度系数，从而实现二阶温度系数补偿。
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公开(公告)号：CN106773636A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710196090.X
申请日：2017-03-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G04R20/02
CPC分类号： G04R20/02
摘要： 本发明公开了一种电网终端授时的方法及装置，其中，该方法包括：获取广播报时信号，所述广播报时信号包括时间码；对所述时间码进行解码处理，确定与所述时间码相对应的时间信息；根据所述时间信息更新电网终端的当前时间。该方法适用的地理范围广；该方法不需要网络连接，即电网终端与电力信息采集系统的主站未有通信连接时也可以执行时间校对。同时，该方法的授时精度高，可以实现24小时自动校对，不存在RTC电路校时时的累计误差。
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公开(公告)号：CN108009454B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201711076975.2
申请日：2017-11-06
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G06K7/10
摘要： 本发明公开了一种低功耗解码的方法及装置，其中，该方法包括：根据预设的上电频率确定第一计数值，第一计数值为在Tari阶段采集的计数值，上电频率不小于500kHz；根据第一计数值确定RTcal阶段的采样频率，并以采样频率执行解码操作；根据上电频率与采样频率之间的差别对第二计数值进行误差补偿，第二计数值为在RTcal阶段采集的计数值。该方法的上电频率远远小于传统值，可以大大降低功耗；之后以该上电频率确定Tari阶段的计数值后调整工作频率，在保证正常解码的同时使得计数值最小，从而在较低的工作频率完成解码功能。
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公开(公告)号：CN106599971B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201611142363.4
申请日：2016-12-12
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
摘要： 本发明实施例提供了一种电子标签电源整流电路，包括：能量获取电路、充电控制电路、电源检测电路、输出稳压电容，所述能量获取电路的第一输入端与第一天线相连，第二输入端与第二天线相连，输出端与所述充电控制电路的输入端相连；所述第一天线和所述第二天线不同时输出高电平；所述充电控制电路的控制端与所述第一天线、所述第二天线、所述电源检测电路的输出端分别相连，所述充电控制电路的输出端与所述输出稳压电容的第一端、电源电压分别相连；所述电源检测电路的输入端与所述输出稳压电容的第二端相连；所述输出稳压电容的第二端接地。
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公开(公告)号：CN107808058A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201711089861.1
申请日：2017-11-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5036
摘要： 本发明公开了一种芯片可靠性设计的方法及装置，其中，该方法包括：获取待测器件的电学参数随时间的变化规律，待测器件为待测芯片中的器件；根据变化规律确定相对应的待测器件负荷的边界条件；建立待测器件的状态侦测模型，实时探测待测器件的工作参数；将工作参数与边界条件进行对比，在工作参数超出边界条件相对应的范围时，生成报警信号。该方法可以在芯片设计阶段介入可靠性设计，通过侦测出可靠性薄弱环节，进而改进电路，提高芯片的使用寿命。
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