发明授权
- 专利标题: 集成电路芯片失效分析样品的制备方法
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申请号: CN201410308089.8申请日: 2014-06-30
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公开(公告)号: CN105334084B公开(公告)日: 2018-06-12
- 发明人: 金志明
- 申请人: 无锡华润上华科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
- 专利权人: 无锡华润上华科技有限公司
- 当前专利权人: 无锡华润上华科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
- 代理机构: 广州华进联合专利商标代理有限公司
- 代理商 邓云鹏
- 主分类号: G01N1/28
- IPC分类号: G01N1/28 ; G01N1/32 ; H01L21/02
摘要:
本发明涉及一种集成电路芯片失效分析样品的制备方法,包括下列步骤:在集成电路芯片样品上涂抹封装胶,使封装胶覆盖需要进行失效分析的部位;对涂好封装胶的样品进行加热固化;将固化后的样品抛光至所述需要进行失效分析的部位。本发明通过固化的封装胶对需要进行失效分析的部位进行加固,避免其在抛光过程中受力变形,从而能够保留原始形貌。制备过程不需要使用昂贵的设备,制备条件很容易被满足。
公开/授权文献
- CN105334084A 集成电路芯片失效分析样品的制备方法 公开/授权日:2016-02-17