发明授权
CN105340059B 用于等离子体反应器的增强等离子体源
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于等离子体反应器的增强等离子体源
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申请号: CN201480034383.2申请日: 2014-05-15
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公开(公告)号: CN105340059B公开(公告)日: 2019-03-22
- 发明人: V·N·托多罗 , G·勒雷 , M·D·威尔沃斯 , L-S·蒋
- 申请人: 应用材料公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 黄嵩泉
- 优先权: 61/835,966 2013.06.17 US
- 国际申请: PCT/US2014/038233 2014.05.15
- 国际公布: WO2014/204598 EN 2014.12.24
- 进入国家日期: 2015-12-16
- 主分类号: H01L21/02
- IPC分类号: H01L21/02 ; H01L21/205 ; H01L21/3065
摘要:
提供一种具有改良的线圈天线组件的装置的实施例,该改良的线圈天线组件可提供处理腔室中的增强的等离子体。该改良的线圈天线组件增强对等离子体处理腔室内的等离子体位置的位置控制,并且可被用于蚀刻、沉积、植入、与热处理系统,以及期望控制等离子体位置的其它应用。在一个实施例中,配置成用于半导体处理装置的电极组件包括:RF导电连接器;以及导电构件,该导电构件具有电连接至该RF导电连接器的第一端,其中该导电构件从该RF导电连接器向外并垂直地延伸。
公开/授权文献
- CN105340059A 用于等离子体反应器的增强等离子体源 公开/授权日:2016-02-17
IPC分类: