SiC基板的制造方法

发明公开

请登陆查看更多内容

专利标题： SiC基板的制造方法
专利标题（英）： Method for producing SiC substrate
申请号： CN201480035167.X

申请日： 2014-06-17
公开(公告)号： CN105340066A

公开(公告)日： 2016-02-17
发明人: 佐佐木有三
申请人： 昭和电工株式会社
申请人地址： 日本东京都
专利权人： 昭和电工株式会社
当前专利权人： 昭和电工株式会社
当前专利权人地址： 日本东京都
代理机构： 北京市中咨律师事务所
代理商 刘航; 段承恩
优先权： 2013-131717 2013.06.24 JP
国际申请： PCT/JP2014/065996 2014.06.17
国际公布： WO2014/208400 JA 2014.12.31
进入国家日期： 2015-12-18
主分类号： H01L21/304
IPC分类号： H01L21/304 ; B24B37/00 ; B24B37/005 ; B24B37/08 ; C09G1/02 ; C09K3/14

摘要：

一种SiC基板的制造方法，至少具备CMP工序，所述CMP工序是采用CMP(机械化学研磨)法，对SiC基板(1)所具备的Si面(1a)和C面(1b)这两面，将C面/Si面加工选择比设为3.0以上来实施两面研磨加工的工序。

摘要（英）：

This method for producing a SiC substrate comprises at least a CMP step wherein a Si surface (1a) and a C surface (1b) of an SiC substrate (1) are subjected to double side polishing by a Chemical Mechanical Polishing (CMP) method at a C surface/Si surface processing selectivity of 3.0 or more.

公开/授权文献

CN105340066B SiC基板的制造方法公开/授权日：2018-01-16

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304	......机械处理，例如研磨、抛光、切割