硅片厚度测量装置及厚度测量方法

    公开(公告)号:CN119573530A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411679182.X

    申请日:2024-11-22

    Inventor: 张宁轩

    Abstract: 本发明涉及一种硅片厚度测量装置,用于测量硅片的厚度,包括:两个接触式探头,能够分别与硅片的相对的两个表面接触,能够分别在硅片的对应的表面上沿着硅片的径向方向上滑动;电阻感应器件,用于与两个接触式探头电连接,并在两个接触式探头分别与硅片的相对的两个表面相接触时,获得硅片的电阻值;处理单元,用于根据电阻感应器件提供的电阻值,获得硅片的厚度。本发明还涉及一种硅片厚度测量方法。两个接触式探头分别与硅片的相对的两个表面接触,以测量硅片的厚度,在测量硅片的厚度时,两个接触式探头沿着硅片的径向方向,在硅片的表面滑动,从而增大了接触式探头与硅片的接触面积,减小了硅片厚度测量的波动,提高了硅片厚度的测量精度。

    一种玻璃基板研磨设备
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119458138A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202510065511.X

    申请日:2025-01-16

    Inventor: 苏飞

    Abstract: 本发明涉及双面研磨加工的技术领域,尤其涉及一种玻璃基板研磨设备,其包括研磨机体以及装配于研磨机体上的上研磨盘、太阳轮和齿圈;研磨机体上装配有位于上研磨盘下方的安装块,安装块上呈周向排列设置有多个下研磨盘,每个下研磨盘均设有游星轮,下研磨盘的周向侧壁连接有能够与齿圈相啮合的齿环一,游星轮的周向侧壁连接有能够与太阳轮相啮合的齿环二;用于限制下研磨盘位置的限位件一,用于限制游星轮位置的限位件二。本发明能够预先装配下研磨盘、游星轮与玻璃基体,在研磨机体停机时更换下研磨盘并安装预先装配好的下研磨盘,提高上下料的效率,缩短停机时间,解决难以取下玻璃基片和游星轮的问题。

    具有校平功能的PCB基板输送装置和研磨机

    公开(公告)号:CN112264927B

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202011143328.0

    申请日:2020-10-23

    Inventor: 汤智群

    Abstract: 本发明公开了一种具有校平功能的PCB基板输送装置,第一传送带机构包括第一传送带和多根第一压辊,第一压辊设于第一传送带的下方且可将PCB基板顶在第一传送带的表面上;第二传送带机构包括第二传送带和多根第二压辊,第二压辊设于第二传送带的上方且可将PCB基板压在第二传送带的表面上,第一传送带机构和第二传送带机构前后设置,第一传送带和第二传送带相互平行且上下错开分布;校平辊可升降地设于第一传送带的输出端的下方且靠近第二传送带的输入端,校平辊可调地将PCB基板顶压在第一传送带的表面上。本发明公开了一种研磨机,校平辊可将PCB基板往第一传送带顶压,避免PCB基板发生弯曲变形。

    一种附带双面研磨同步功能的陶瓷刀研磨双面开刃装置

    公开(公告)号:CN119188592A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411471847.8

    申请日:2024-10-22

    Abstract: 本发明公开了一种附带双面研磨同步功能的陶瓷刀研磨双面开刃装置,涉及研磨开刃装置技术领域,其特征在于:该附带双面研磨同步功能的陶瓷刀研磨双面开刃装置包括安装座,所述安装座上安装有驱动电机,所述驱动电机与驱动齿轮相连接,驱动齿轮与两个第一传动齿轮相啮合,所述第一传动齿轮和第二传动齿轮通过传动杆相连接,所述安装座上安装锥齿轮与第二传动齿轮相啮合,所述锥齿轮上安装电动伸缩柱通过可伸缩连接柱连接有研磨盘,所述安装座上设置有渐进组件和装夹组件,启动驱动电机通过驱动齿轮带动第一传动齿轮、第二传动齿轮和锥齿轮进行传动,再通过电动伸缩柱和可伸缩连接柱带动研磨盘转动,实现陶瓷刀双面同步研磨开刃。

    一种双线配合的研磨系统及方法

    公开(公告)号:CN118700013B

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411207734.7

    申请日:2024-08-30

    Abstract: 本发明涉及应用于平面研磨相关技术领域的一种双线配合的研磨系统及方法,一个输料流水线配置两列研磨设备并同时对工件进行研磨,实现双线同步进行研磨的效果,相较于现有技术,大幅度降低整个研磨流水线的占地面积,同时提高研磨效率,同时,在研磨过程中,在转动方向相反的公转研磨盘以及波纹助转柱的设置下,研磨时,可使料盘同步自转,使料盘上的工件可同时受到两个不同方向的交叉研磨,便于切断研磨形成的细小毛刺,相较于现有技术,大幅度提高研磨均匀性,并进一步提高研磨效率,另外,波纹助转柱表面粗糙度可调,进而实现在不影响料盘上工件研磨面积的情况下,对波纹助转柱自转速度的控制,便于适应不同材料工件的研磨需求。

    一种晶圆研磨自动化系统及方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119077608A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202411203577.2

    申请日:2024-08-29

    Abstract: 本发明公开了一种晶圆研磨自动化系统,包括机架和设置于机架上的上料单元、第一拾取单元、定位单元、基准片承载单元、第二拾取单元、加工单元、清洗单元和下料单元;还包括用于采集晶圆和基准片的物料和位置信息的信息采集单元,以及控制上述各单元对晶圆进行运输和加工的控制系统。本发明通过信息采集单元和控制系统对各单元进行控制,实现晶圆的自动化运输和加工,提高了晶圆的入位精度和加工效率,保证了晶圆加工品质。本发明还提供一种晶圆自动化研磨方法,利用上述晶圆研磨自动化系统,完美满足上下料的原位进原位出原则,同时降低了操作人员劳动强度。

    一种研磨的氮化硅瓷片
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN118239787B

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202410331645.7

    申请日:2024-03-22

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,具体为一种研磨的氮化硅瓷片。该氮化硅瓷片的制备包括以下制备步骤:步骤一:将α‑氮化硅、改性增韧材料、烧结助剂加入到溶剂内,球磨混合均匀,得到分散液;步骤二:(1)将分散液离心,过滤出沉淀物,经干燥、研磨、过筛,得到粉料;(2)将粉料置于模具中,压制成型,保温一段时间后,得到氮化硅陶瓷坯体;步骤三:将氮化硅陶瓷坯体进行微波烧结,得到氮化硅陶瓷;步骤四:对氮化硅陶瓷依次进行一次双面研磨、返烧、二次双面研磨,得到氮化硅瓷片。该氮化硅瓷片表面缺陷少、厚薄均匀、翘曲度低、热导率高、剥离强度大,在半导体领域中具有更广泛的应用。

    一种在线阀门密封研磨装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118789445A

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202411142143.6

    申请日:2024-08-20

    Abstract: 本发明涉及研磨装置技术领域,且公开了一种在线阀门密封研磨装置,其包括底座以及切换件,所述底座上设有研磨机,所述研磨机上设有可对其进行位置调整的调节机构以及对闸板以及闸阀进行研磨处理的研磨头,所述研磨机通过调节机构安装在底座上,所述底座上设有对闸板进行固定的固定件;本发明有效的解决了在对闸板进行翻面研磨时,需要工人先将处在上方的研磨头移走,然后再对固定的闸板进行拆卸换面处理,换面后的闸板再进行固定,工人需要再将研磨设备的研磨头重新调整移动至闸板的研磨面上,整个换面过程过于麻烦,增加了工人操作量的同时,使得闸板的研磨效率也较低的问题。

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