发明公开
- 专利标题: 一种凸台高度可变的压接式IGBT模块
- 专利标题(英): Crimped IGBT module with variable boss height
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申请号: CN201510959099.2申请日: 2015-12-18
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公开(公告)号: CN105514095A公开(公告)日: 2016-04-20
- 发明人: 唐新灵 , 崔翔 , 赵志斌 , 张朋 , 李金元 , 温家良
- 申请人: 华北电力大学 , 国网智能电网研究院 , 国家电网公司
- 申请人地址: 北京市昌平区北农路2号
- 专利权人: 华北电力大学,国网智能电网研究院,国家电网公司
- 当前专利权人: 华北电力大学,国网智能电网研究院,国家电网公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区北农路2号
- 代理机构: 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理商 徐国文
- 主分类号: H01L25/07
- IPC分类号: H01L25/07 ; H01L23/367
摘要:
本发明提供一种凸台高度可变的压接式IGBT模块,包括管壳和同轴设于所述管壳上下两端的板状金属电极,下端金属电极的内侧面上分布有凹槽,每个凹槽中容纳一凸台,所述凸台底部为向上凹陷的凹面;所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块。本发明提供的压接式IGBT模块整体结构简单紧凑、散热性能更好、驱动回路杂散参数更小,对钼片、芯片、银片厚度一致性以及凸台高度一致性要求更低,提高了器件的使用性能。
公开/授权文献
- CN105514095B 一种凸台高度可变的压接式IGBT模块 公开/授权日:2020-05-12