-
公开(公告)号：CN105489645B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201510960378.0
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L29/739 , H01L23/48 , H01L23/485
摘要： 本发明提供一种大功率压接式IGBT驱动线，所述大功率压接式IGBT具有驱动信号输入端子和驱动信号输出端子；所述驱动线包括同轴设置且彼此绝缘的驱动信号出入层和驱动信号输出层；所述驱动信号输入层连接所述驱动信号输入端子；所述驱动信号输出层连接所述驱动信号输出端子。本发明提供的驱动线适用于高温工作环境，在驱动回路中引入的杂散电感更低，可改善驱动回路的电流震荡并提升大功率压接式IGBT的开通和关断能力。
-
公开(公告)号：CN105514095B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201510959099.2
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/367
摘要： 本发明提供一种凸台高度可变的压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上分布有凹槽，每个凹槽中容纳一凸台，所述凸台底部为向上凹陷的凹面；所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块。本发明提供的压接式IGBT模块整体结构简单紧凑、散热性能更好、驱动回路杂散参数更小，对钼片、芯片、银片厚度一致性以及凸台高度一致性要求更低，提高了器件的使用性能。
-
公开(公告)号：CN105489645A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510960378.0
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L29/739 , H01L23/48 , H01L23/485
摘要： 本发明提供一种大功率压接式IGBT驱动线，所述大功率压接式IGBT具有驱动信号输入端子和驱动信号输出端子；所述驱动线包括同轴设置且彼此绝缘的驱动信号出入层和驱动信号输出层；所述驱动信号输入层连接所述驱动信号输入端子；所述驱动信号输出层连接所述驱动信号输出端子。本发明提供的驱动线适用于高温工作环境，在驱动回路中引入的杂散电感更低，可改善驱动回路的电流震荡并提升大功率压接式IGBT的开通和关断能力。
-
公开(公告)号：CN105470291A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510959202.3
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L29/66325
摘要： 本发明提供一种改进的压接式IGBT器件，包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上固定有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有IGBT功率子模块；所述IGBT功率子模块包括栅极信号输入端和栅极信号输出端；所述栅极信号输入端和平行于所述下端金属电极的栅极PCB板电气相连；所述栅极信号输出端和平行于所述下端金属电极的辅助发射极PCB板电气相连。本发明提供的技术方案降低了辅助发射极回路的杂散电感和杂散电容，提高了压接式IGBT器件中每个IGBT功率子模块驱动回路参数的一致性，降低了IGBT功率子模块之间发生电流震荡的危险。
-
公开(公告)号：CN105552038A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510960406.9
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L23/10 , H01L29/739
摘要： 本发明提供一种大功率压接式IGBT器件，包括管壳和同轴安装在所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上安装有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块，所述下端金属电极的内侧面上垂直安装有将所述下端金属电极的内侧面分隔成四个区域的十字形硅钢片组；所述凸台分布在所述四个区域内；所述十字形硅钢片组外部为绝缘框架。本发明提供的技术方案将大量的凸台进行分割，降低了凸台在通过瞬态电流时，所产生磁场的相互影响，从而实现了局部区域内凸台之间杂散电感的最小化，提高了器件的使用性能。
-
公开(公告)号：CN105514095A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510959099.2
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/367
摘要： 本发明提供一种凸台高度可变的压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上分布有凹槽，每个凹槽中容纳一凸台，所述凸台底部为向上凹陷的凹面；所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块。本发明提供的压接式IGBT模块整体结构简单紧凑、散热性能更好、驱动回路杂散参数更小，对钼片、芯片、银片厚度一致性以及凸台高度一致性要求更低，提高了器件的使用性能。
-
公开(公告)号：CN105552038B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201510960406.9
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L23/10 , H01L29/739
摘要： 本发明提供一种大功率压接式IGBT器件，包括管壳和同轴安装在所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上安装有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块，所述下端金属电极的内侧面上垂直安装有将所述下端金属电极的内侧面分隔成四个区域的十字形硅钢片组；所述凸台分布在所述四个区域内；所述十字形硅钢片组外部为绝缘框架。本发明提供的技术方案将大量的凸台进行分割，降低了凸台在通过瞬态电流时，所产生磁场的相互影响，从而实现了局部区域内凸台之间杂散电感的最小化，提高了器件的使用性能。
-
公开(公告)号：CN105355614B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201510835539.3
申请日：2015-11-26
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60 , H01L29/739
摘要： 本发明提供了一种预封装单芯片及其制备工艺，所述预封装单芯片包括外壳，位于芯片两面的大小钼片，其侧面的键和线以及引脚，所述的预封装单芯片的制备工艺包括如下步骤：1)以烧结或焊接方式将芯片与两面分别设置的大小钼片连接；2)芯片的栅极和发射极上分别设置与引脚对应连接的键合线；3)封装。本发明的预封装单芯片可以方便地进行性能测试，避免了环境对芯片造成的污染和损坏，且不会对其性能造成影响，经测试合格的预封装芯片可直接采用压接或焊接的方式组装为大功率器件，便于标准化生产。
-
公开(公告)号：CN104409485B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201410737058.4
申请日：2014-12-05
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423 , H01L21/265
摘要： 本发明涉及一种具有低反向传输电容抗闩锁结构的平面栅IGBT及制造方法，本发明在常规方法基础上对P阱注入进行改进，在P阱总注入剂量和总推阱时间不变的情况下采用P阱多次注入，多次推结方式，使得N+区下方P阱浓度更高，更有效的降低空穴电流流经路径的电阻，有效抑制IGBT器件大电流状态下的闩锁现象，电阻的降低同时可以降低通态压降。本发明在JFET区上方添加一层厚度1.0‑1.5μm的场氧化层，减小IGBT器件的反向传输电容，降低器件关断时反向传输电容的放电时间，减小关断损耗；通过减小IGBT器件的反向传输电容同样可以达到避免短路测试时发生LC震荡的目的。
-
公开(公告)号：CN104459277B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410734225.X
申请日：2014-12-04
IPC分类号： G01R19/00
摘要： 本发明提供了一种大功率压接型IGBT模块电流检测方法，包括步骤1：将罗氏线圈嵌入压接型IGBT的封装内部，采集IGBT芯片的电流信号；步骤2：压接型IGBT的主控单元依据电流信号调整IGBT芯片的驱动信号，以平衡IGBT芯片电流；若压接型IGBT由N个IGBT芯片并联组成时，在每个IGBT芯片对应的凸台的外围套置一个罗氏线圈；若压接型IGBT包括M个并联的IGBT模块，每个IGBT模块由N个IGBT芯片并联组成时，将每个IGBT模块中N个IGBT芯片对应的凸台作为一个凸台组，在每个IGBT模块的凸台组的外围套置一个罗氏线圈。与现有技术相比，本发明提供的一种大功率压接型IGBT模块电流检测方法，能够实现对大功率IGBT的并联均流控制和保护。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
170 条记录 (耗时 0.053 秒)
