一种大功率压接式IGBT器件

    公开(公告)号:CN105552038A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201510960406.9

    申请日:2015-12-18

    IPC分类号: H01L23/10 H01L29/739

    摘要: 本发明提供一种大功率压接式IGBT器件,包括管壳和同轴安装在所述管壳上下两端的板状金属电极,下端金属电极的内侧面上安装有凸台,所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块,所述下端金属电极的内侧面上垂直安装有将所述下端金属电极的内侧面分隔成四个区域的十字形硅钢片组;所述凸台分布在所述四个区域内;所述十字形硅钢片组外部为绝缘框架。本发明提供的技术方案将大量的凸台进行分割,降低了凸台在通过瞬态电流时,所产生磁场的相互影响,从而实现了局部区域内凸台之间杂散电感的最小化,提高了器件的使用性能。

    一种大功率压接式IGBT器件

    公开(公告)号:CN105552038B

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201510960406.9

    申请日:2015-12-18

    IPC分类号: H01L23/10 H01L29/739

    摘要: 本发明提供一种大功率压接式IGBT器件,包括管壳和同轴安装在所述管壳上下两端的板状金属电极,下端金属电极的内侧面上安装有凸台,所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块,所述下端金属电极的内侧面上垂直安装有将所述下端金属电极的内侧面分隔成四个区域的十字形硅钢片组;所述凸台分布在所述四个区域内;所述十字形硅钢片组外部为绝缘框架。本发明提供的技术方案将大量的凸台进行分割,降低了凸台在通过瞬态电流时,所产生磁场的相互影响,从而实现了局部区域内凸台之间杂散电感的最小化,提高了器件的使用性能。

    一种压接式IGBT模块
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105552037B

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201510960380.8

    申请日:2015-12-18

    IPC分类号: H01L23/10 H01L29/739

    摘要: 本发明提供一种新型压接式IGBT模块,包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极,下端金属电极的内侧面上固定有凸台,所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块;所述凸台以所述下端金属电极的中心为圆心,由内层到外层依次圆周等分布在所述下端金属电极的内侧面上。本发明提供的技术方案改善了压接式IGBT模块的凸台在通过瞬态电流时,部分电流过冲太大的问题,提高了压接式IGBT功率模块的可靠性,增大了压接式IGBT功率模块的安全工作区。

    一种新型压接式IGBT模块
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105552037A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201510960380.8

    申请日:2015-12-18

    IPC分类号: H01L23/10 H01L29/739

    摘要: 本发明提供一种新型压接式IGBT模块,包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极,下端金属电极的内侧面上固定有凸台,所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块;所述凸台以所述下端金属电极的中心为圆心,由内层到外层依次圆周等分布在所述下端金属电极的内侧面上。本发明提供的技术方案改善了压接式IGBT模块的凸台在通过瞬态电流时,部分电流过冲太大的问题,提高了压接式IGBT功率模块的可靠性,增大了压接式IGBT功率模块的安全工作区。

    一种改进的压接式IGBT器件

    公开(公告)号:CN105470291A

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201510959202.3

    申请日:2015-12-18

    IPC分类号: H01L29/739 H01L21/331

    CPC分类号: H01L29/7393 H01L29/66325

    摘要: 本发明提供一种改进的压接式IGBT器件,包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极,下端金属电极的内侧面上固定有凸台,所述凸台与上端金属电极之间压接有IGBT功率子模块;所述IGBT功率子模块包括栅极信号输入端和栅极信号输出端;所述栅极信号输入端和平行于所述下端金属电极的栅极PCB板电气相连;所述栅极信号输出端和平行于所述下端金属电极的辅助发射极PCB板电气相连。本发明提供的技术方案降低了辅助发射极回路的杂散电感和杂散电容,提高了压接式IGBT器件中每个IGBT功率子模块驱动回路参数的一致性,降低了IGBT功率子模块之间发生电流震荡的危险。

    一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构

    公开(公告)号:CN107305852B

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN201610262775.5

    申请日:2016-04-25

    IPC分类号: H01L21/66

    摘要: 本发明提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构,包括上端盖、下端盖和发射极金属电极;上端盖和下端盖均为凹形盖,上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架;发射极金属电极设置在长方体框架内,其包括圆盘形金属电极,及相对该圆盘形金属电极的中心轴对称分布的多个凸台,凸台上放置IGBT模块;圆盘形金属电极布置在下端盖上,其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板和一个辅助栅极/发射极端子。与现有技术相比,本发明提供的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构,可以在主回路参数一致的条件下,测量多个并联的IGBT芯片的开关波形,从而综合评价芯片的动静态参数是否一致。