- 专利标题: 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置
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申请号: CN201610007285.0申请日: 2016-01-06
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公开(公告)号: CN105514173B公开(公告)日: 2018-09-04
- 发明人: 安晖 , 董必良 , 王铖铖 , 段献学 , 白明基
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,合肥京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,合肥京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 罗瑞芝; 陈源
- 主分类号: H01L29/786
- IPC分类号: H01L29/786 ; H01L29/06 ; H01L21/336 ; H01L27/12 ; G02F1/1333
摘要:
本发明属于显示技术领域,涉及薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置。该薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极和有源层,所述漏极、所述有源层和所述源极依次层叠设置,所述有源层在平行于所述漏极所在平面上的正投影面积等于所述漏极的面积,所述源极在平行于所述漏极所在平面上的正投影面积小于所述漏极的面积;所述栅绝缘层至少部分直接与所述有源层接触,所述栅极设置于所述栅绝缘层的外侧且包覆所述栅绝缘层远离所述源极的侧面和部分顶面。该薄膜晶体管在打开状态时时可在低阻值下获得高的开启电流,在关闭状态时使关闭电流最小化,有效抑制关闭电流。
公开/授权文献
- CN105514173A 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置 公开/授权日:2016-04-20
IPC分类: