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公开(公告)号：CN103014639A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210535884.1
申请日：2012-12-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明公开了一种溅射靶材，包括多个第一分块和多个第二分块，所述多个第一分块和第二分块成多行多列分布，其中每行中所述第一分块与所述第二分块交错分布，每列中所述第一分块与所述第二分块也交错分布。本发明还公开了一种包括上述溅射靶材的溅射装置，其还包含交流电源，所述交流电源包括极性相反的第一电极和第二电极，所述溅射靶材的每个第一分块与所述交流电源的第一电极对应连接，所述溅射靶材的每个第二分块与所述交流电源的第二电极对应连接。本发明将溅射靶材设计成块状，使靶材得到充分利用，并且产品膜质更具均一性。
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公开(公告)号：CN106199835A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610575005.6
申请日：2016-07-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种光纤透镜制作方法及光纤透镜。所述方法包括：将光纤的一端浸泡在刻蚀溶液中进行刻蚀，在所述一端形成容纳槽，所述光纤包括包层和被所述包层包裹的纤芯，所述纤芯在所述刻蚀液中的刻蚀速度大于所述包层在所述刻蚀液中的刻蚀速度；将透明光学材料填充入所述容纳槽中，形成光纤透镜。所述光纤透镜，采用本发明任意一项实施例所提供的制作方法制作得到。本发明所提供的光纤透镜制作方法及光纤透镜，能够通过简单的工艺制作光纤透镜。
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公开(公告)号：CN105514173A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610007285.0
申请日：2016-01-06
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L27/12 , G02F1/1333
CPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1333 , H01L27/1214 , H01L29/0603 , H01L29/66765 , H01L29/66772
摘要： 本发明属于显示技术领域，涉及薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置。该薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极和有源层，所述漏极、所述有源层和所述源极依次层叠设置，所述有源层在平行于所述漏极所在平面上的正投影面积等于所述漏极的面积，所述源极在平行于所述漏极所在平面上的正投影面积小于所述漏极的面积；所述栅绝缘层至少部分直接与所述有源层接触，所述栅极设置于所述栅绝缘层的外侧且包覆所述栅绝缘层远离所述源极的侧面和部分顶面。该薄膜晶体管在打开状态时时可在低阻值下获得高的开启电流，在关闭状态时使关闭电流最小化，有效抑制关闭电流。
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公开(公告)号：CN102832254B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210333280.9
申请日：2012-09-10
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/02 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L27/1259 , H01L21/3213 , H01L27/124 , H01L29/42356 , H01L29/42384 , H01L29/458 , H01L33/0041
摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板，属于液晶显示领域。所述阵列基板包括形成在栅绝缘层上的源电极、漏电极和像素电极，所述源电极和漏电极包括至少两层导电层，所述像素电极与所述漏电极直接连接。所述阵列基板的制作方法包括在栅绝缘层上依次沉积至少两层导电层，对所述至少两层导电层进行构图，形成源电极、漏电极和像素电极。本发明的技术方案由于不需要在像素区域形成过孔，从而提高了阵列基板的开口率，进一步地，通过采用透明电极层和金属层形成的叠合层作源电极和漏电极，可以很容易形成源漏电极和栅电极位于有源层同侧的结构，使源漏电极直接与电流通道相连，提高了TFT器件的导电性能。
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公开(公告)号：CN102998856B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210469712.9
申请日：2012-11-19
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1337 , G02F1/1333
CPC分类号： G02F1/13439 , G02F1/136204 , G02F2001/133337 , G02F2001/134372
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以分散液晶分子表面的直流残留，从而消除因直流残留引起的图像残像的现象。本发明提供的阵列基板包括：基板、基板上的像素电极、像素电极上方与像素电极相绝缘的公共电极，公共电极上的取向膜，还包括：与至少一个像素电极电性相连的至少一个用于分散液晶分子表面残留电荷的分流电极，所述分流电极位于所述取向膜不与液晶分子相接触的一侧。
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公开(公告)号：CN103014639B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210535884.1
申请日：2012-12-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明公开了一种溅射靶材，包括多个第一分块和多个第二分块，所述多个第一分块和第二分块成多行多列分布，其中每行中所述第一分块与所述第二分块交错分布，每列中所述第一分块与所述第二分块也交错分布。本发明还公开了一种包括上述溅射靶材的溅射装置，其还包含交流电源，所述交流电源包括极性相反的第一电极和第二电极，所述溅射靶材的每个第一分块与所述交流电源的第一电极对应连接，所述溅射靶材的每个第二分块与所述交流电源的第二电极对应连接。本发明将溅射靶材设计成块状，使靶材得到充分利用，并且产品膜质更具均一性。
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公开(公告)号：CN103441100B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310370380.3
申请日：2013-08-22
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/134309 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/134318 , G02F2001/136236 , G02F2001/136295 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L29/7869
摘要： 本发明实施例提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域。方法包括在基板上形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形的步骤，形成所述刻蚀阻挡层图形和第一电极图形的步骤包括：依次形成刻蚀阻挡层薄膜和第一电极薄膜，通过一次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形。本发明省去了刻蚀阻挡层图形单独形成的构图工艺，简化了工艺流程，节省了制作成本。本发明实施例用于制造显示装置。
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公开(公告)号：CN105514173B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610007285.0
申请日：2016-01-06
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L27/12 , G02F1/1333
摘要： 本发明属于显示技术领域，涉及薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置。该薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极和有源层，所述漏极、所述有源层和所述源极依次层叠设置，所述有源层在平行于所述漏极所在平面上的正投影面积等于所述漏极的面积，所述源极在平行于所述漏极所在平面上的正投影面积小于所述漏极的面积；所述栅绝缘层至少部分直接与所述有源层接触，所述栅极设置于所述栅绝缘层的外侧且包覆所述栅绝缘层远离所述源极的侧面和部分顶面。该薄膜晶体管在打开状态时时可在低阻值下获得高的开启电流，在关闭状态时使关闭电流最小化，有效抑制关闭电流。
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公开(公告)号：CN107170761A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710437796.0
申请日：2017-06-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用以使观看者能在各个视角都能观看到均匀的反射效果，提高显示效果。阵列基板的制作方法，包括在衬底基板上依次制作薄膜晶体管和钝化层的方法，还包括：在钝化层上依次形成反射层和透明导电层；反射层通过贯穿钝化层的过孔与薄膜晶体管的源极或漏极电连接，透明导电层包括若干金属离子；对透明导电层进行还原处理，使得金属离子被还原出来，形成一金属颗粒层；对完成上述步骤的透明导电层和反射层进行构图工艺，形成像素电极。
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公开(公告)号：CN103713471B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201210378201.6
申请日：2012-10-08
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种关键尺寸测试的校正装置和方法，可以在Mask上设置至少一组Mark，利用所述Mask进行刻蚀工艺后在基板上形成的图形获知DICD的实际值，据此校正CD测试结果。本发明装置和方法，简化了DICD测试值的校准工作，并能够保证校准精度。
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